[发明专利]具有高强度和优异腐蚀性能的铝钎焊片有效
申请号: | 201080021209.6 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN102422118A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | S·诺格伦;L·阿尔 | 申请(专利权)人: | 萨帕铝热传输公司 |
主分类号: | F28F19/06 | 分类号: | F28F19/06;B32B15/01;C22C21/10;F28F21/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东;谭邦会 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 强度 优异 腐蚀 性能 钎焊 | ||
1.一种铝合金钎焊片,其包括:由铝合金制得的芯材;和在该芯材至少一侧上且由具有比芯材低的腐蚀电势的铝合金制得的覆层材料,该覆层材料是钎焊片的最外层,其中该覆层材料由具有以下组成的铝合金制得:0.2-2.0wt%的Mg,0.5-1.5wt%的Si,1.0-2.0wt%、优选1.4-1.8%的锰,≤0.7wt%的Fe,≤0.1wt%的Cu,和≤4wt%、优选≤1.4wt%、更优选≤1.1wt%、最优选≤0.4wt%的Zn,以及每种都≤0.3wt%的Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余是铝和不可避免的杂质。
2.权利要求1的铝合金钎焊片,其中该覆层材料由具有以下组成的铝合金制得:0.2-2.0wt%的Mg,0.5-1.5wt%的Si,1.4-1.8%的Mn,≤0.7wt%的Fe,≤0.1wt%的Cu,和≤4wt%、优选≤1.4wt%、更优选≤1.1wt%、最优选≤0.4wt%的Zn,以及每种都≤0.3wt%的Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余是铝和不可避免的杂质。
3.权利要求1的铝合金钎焊片,其中该覆层材料由基本上具有以下组成的铝合金制得:0.7-1.4wt%的Mg,0.5-1.5wt%的Si,1.0-2.0wt%、优选1.4-1.8wt%的Mn,≤0.7wt%的Fe,≤0.1wt%的Cu,和≤4wt%、优选≤1.4wt%、更优选≤1.1wt%、最优选≤0.4wt%的Zn,以及每种都≤0.3wt%的Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余是铝和不可避免的杂质。
4.权利要求1或2的铝合金钎焊片,其中该覆层材料由基本上具有以下组成的铝合金制得:0.8-1.3wt%的Mg,0.5-1.5wt%的Si,1.0-2.0wt%、优选1.4-1.8%的Mn,≤0.7wt%的Fe,≤0.1wt%的Cu,和≤4wt%、优选≤1.4wt%、更优选≤1.1wt%、最优选≤0.4wt%的Zn,以及每种都≤0.3wt%的Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余是铝和不可避免的杂质。
5.权利要求1-4任一项的铝合金钎焊片,其中该覆层材料包含≤0.05-0.3wt%的Zr。
6.权利要求1-5任一项的铝合金钎焊片,其中该覆层组合物不含Ni。
7.权利要求1-6任一项的铝合金钎焊片,其中该覆层的含铜量为<0.04wt%。
8.权利要求1-7任一项的铝合金钎焊片,其中该芯材包含:≤0.1wt%、优选≤0.06wt%的Si,≤0.35wt%的Mg,1.0-2.0wt%、优选1.4-1.8wt%的Mn,0.2-1.0wt%、优选0.6-1.0wt%的Cu,≤0.7wt%的Fe,以及每种都≤0.3wt%的Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余部分是铝和不可避免的杂质。
9.权利要求1-8任一项的铝合金钎焊片,其中该芯材包含:≤0.1wt%、优选≤0.06wt%的Si,≤0.35wt%的Mg,1.4-1.8wt%的Mn,0.6-1.0wt%的Cu,≤0.7wt%的Fe,0.05-0.3wt%的Zr,以及每种都≤0.3wt%的Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn,且Zr、Ti、Ni、Hf、V、Cr、In、Sn的总量≤0.5wt%,其余部分是铝和不可避免的杂质。
10.权利要求1-9任一项的铝合金钎焊片,其中该芯材和覆层材料均不含Ni。
11.权利要求1-10任一项的铝合金钎焊片,其中所述覆层材料是水侧覆层,并且其中所述芯具有直接施加于覆层相反一侧上的其它Al-Si钎焊覆层,所述钎焊覆层包括5-13wt%的Si。
12.权利要求1-11任一项的铝合金钎焊片,其特征在于在该水侧覆层中的Si与芯中的Si之间的比是至少5∶1、优选至少10∶1。
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