[发明专利]生产硅的反应器和方法无效

专利信息
申请号: 201080021288.0 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN102428027A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 约瑟夫·菲尔特维特;沃纳·O·菲尔特维特 申请(专利权)人: 戴纳泰克工程有限公司
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027;C01B33/029;C01B33/03;C01B33/031;C01B33/033;C01B33/035
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武晶晶;郑霞
地址: 挪威*** 国省代码: 挪威;NO
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摘要:
搜索关键词: 生产 反应器 方法
【权利要求书】:

1.一种用于通过化学气相沉积来生产硅的反应器,所述反应器包括形成容器的反应器主体、载硅气体的至少一个入口、至少一个出口、以及作为所述反应器的一部分或可操作地布置到所述反应器的至少一个加热设备,其特征在于,所述反应器的至少一个主要部分用硅制造,所述部分暴露于载硅气体且所述部分被加热以在所述部分上沉积硅。

2.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述反应器主体的壁或管的一部分以及顶盖的至少一个内部部分和底盖的至少一个部分用硅制造,优选用具有冶金品质的或更纯的硅制造。

3.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述反应器适于通过在所述反应器的所述壁的内部硅表面上和在晶种颗粒上的化学气相沉积来生产硅,其中所述反应器包括晶种颗粒的至少一个入口和能够将所述反应器主体的至少所述壁加热到反应温度的至少一个加热设备。

4.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述反应器包括硅的中心入口管,所述硅的中心入口管延伸到所述容器的下部部分中并且被穿过底盖的多个气体入口环绕,所述气体入口是围绕所述入口管对称地且径向地布置。

5.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述反应器包括具有在一个端部上的硅盖和在另一端部上的硅盖的硅管。

6.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,用于加热所述反应器的所述设备包括加热光源,优选红外光源。

7.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,用于加热所述反应器的所述设备包括在所述反应器的底盖和/或顶盖中的一个或多个加热光源,所述一个或多个加热光源实质上同心地布置在惰性气体的供给管内部,使得所述反应器的内部和晶种颗粒内含物被辐射且因此被加热。

8.一种用于操作根据权利要求1-7中任一项的反应器的方法,其特征在于,用于加热所述反应器的所述设备和用于流体流动的设备以使得在所述反应器的操作时间的最后部分,朝向穿过所述反应器的中心轴径向向内发生硅沉积的方式被控制。

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