[发明专利]在包括半导体材料的模具上制造半导体材料制品的方法

权利要求书

1.一种制造半导体材料制品的方法，所述方法包括：

在温度T_S提供熔融的第一半导体材料；

在温度T_模具提供模具，使得T_S＞T_模具，所述模具包括第二半导体材料；

用颗粒涂敷所述模具的外表面；

将所述模具在所述熔融的第一半导体材料中浸泡一段时间，所述一段时间足以在所述模具的所述外表面上形成至少部分地由所述第一半导体材料组成的固体层；

将具有所述固体层的所述模具从所述熔融的第一半导体材料抽出；以及

可选地将所述固体层与所述模具分离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半导体材料和/或所述第二半导体材料选自下组：硅、硅的合金和化合物、锗、锗的合金和化合物、砷化镓、砷化镓的合金和化合物、锡的合金和化合物、以及它们的混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半导体材料和所述第二半导体材料包括大致相同的半导体材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半导体材料和所述第二半导体材料中的至少一种还包括至少一种掺杂剂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用颗粒涂敷所述模具的外表面包括：使所述模具暴露于所述熔融的第一半导体材料上方的烟一段时间，所述一段时间足以在所述模具的所述外表面上形成由所述熔融的第一半导体材料产生的颗粒。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述模具在所述模具浸泡入所述熔融的第一半导体材料之前位于所述熔融的第一半导体材料上方并暴露于所述熔融的第一半导体材料的烟，和/或当所述模具浸泡入所述熔融的第一半导体材料时暴露于所述熔融的第一半导体材料的烟。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用颗粒涂敷所述模具的外表面包括：在所述模具的所述外表面上喷涂、摩擦、刷涂、倾倒、浸涂、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子增强化学气相沉积或等离子诱导沉积所述颗粒。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，涂敷所述模具的所述外表面的所述颗粒形成大致邻接的颗粒涂层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述颗粒包括选自下组的材料：硅、硅的合金和化合物、锗、锗的合金和化合物、砷化镓、砷化镓的合金和化合物、锡、锡的合金和化合物、以及它们的混合物。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在温度T模具提供所述模具包括在所述熔融的第一半导体材料上方加热所述模具的步骤。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半导体材料上方的气氛包括氩和氢。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具以范围从0°至180°的浸泡角度浸泡入所述熔融的第一半导体材料。

13.一种制造半导体材料制品的方法，所述方法包括：

在温度T_S提供熔融的第一半导体材料；

在温度T_模具提供模具，使得T_S＞T_模具，其中所述模具包括第二半导体材料；

将所述模具浸泡入所述熔融的第一半导体材料一段时间，所述一段时间足以在所述模具的外表面上形成至少部分由所述第一半导体材料组成的固体层，其中所述模具的温度仅通过所述熔融的第一半导体材料的温度来改变；

将具有所述固体层的所述模具从所述熔融的第一半导体材料抽出；以及

可选地将所述固体层与所述模具分离。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将所述模具浸泡入所述熔融的第一半导体材料之前和/或当所述模具浸泡入所述熔融的第一半导体材料时，用颗粒涂敷所述模具的所述外表面。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述颗粒包括选自下组的材料：硅、硅的合金和化合物、锗、锗的合金和化合物、砷化镓、砷化镓的合金和化合物、锡、锡的合金和化合物、以及它们的混合物。