[发明专利]成膜方法以及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，在被处理体的表面形成覆膜，其特征在于，

在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材，

向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在0.3Pa以上且10.0Pa以下的范围内，并且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体，

控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并沉积，以形成所述覆膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

通过对所述磁场的强度进行调整，从而控制所述溅射粒子的飞行方向。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述被处理体的中央区域与周缘区域中，所述垂直的磁力线之间的间隔相同。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述被处理体的中央区域与周缘区域中，所述垂直的磁力线之间的间隔不同。

5.一种成膜装置，在被处理体的表面形成覆膜，其特征在于，包括：

腔室，使靶与所述被处理体对置配置，并具有收纳所述靶和所述被处理体的内部空间，所述靶成为所述覆膜的母材；

排气机构，对所述腔室内进行减压；

第一磁场产生机构，从所述靶的溅射面来看，在前方的空间产生磁场；

气体导入机构，具有对导入到所述腔室内的溅射气体的流量进行调整的功能；

直流电源，向所述靶施加负的直流电压；以及

第二磁场产生机构，产生使垂直的磁力线从所述靶的所述溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场。

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，

进一步包括：保持器，在一个面上设置有一个以上的凹部，

所述靶形成为有底筒状，从所述靶的底部侧安装于所述保持器的所述凹部，

所述第一磁场产生机构被组装于所述保持器，以在所述靶的内部空间产生磁场。