[发明专利]驱动半导体存储装置的方法

权利要求书

1.一种驱动半导体存储装置的方法，其特征在于，具备以下工序(a)～(c)：

准备具备以下部件的所述半导体存储装置的工序(a)，

第一栅极电极、

强电介质层、

半导体层、

源极电极、

漏极电极、

普通电介质层和

第二栅极电极，

在此，所述第一栅极电极、所述强电介质层、所述半导体层、所述普通电介质层和所述第二栅极电极以此顺序层叠，

所述源极电极被夹在所述半导体层和所述普通电介质层之间，并且与所述半导体层连接，

所述漏极电极被夹在所述半导体层和所述普通电介质层之间，并且与所述半导体层连接；

对所述半导体存储装置写入第一、第二或第三电阻值的工序(b)，

在此，

在对所述半导体存储装置写入第一电阻值的情况下，分别对所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＞Vs和V2＞Vd的不等式的电压V1、V2、Vs和Vd，

在对所述半导体存储装置写入第二电阻值的情况下，分别对所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的不等式的电压V1、V2、Vs和Vd，

在对所述半导体存储装置写入第三电阻值的情况下，分别对所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极施加满足V1＜Vs、V1＜Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的不等式的电压V1、V2、Vs和Vd，

在此，满足所述第三电阻值＞所述第二电阻值＞所述第一电阻值的不等式；和

根据对所述源极电极和所述漏极电极之间施加电位差而产生的所述源极电极与所述漏极电极之间的电流，从所述第一电阻值、所述第二电阻值和所述第三电阻值中决定被写入到所述半导体存储装置的电阻值的工序(c)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述工序(b)之前还具备：一边分别对所述第二栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极施加满足V2＝Vs＝Vd的关系的电压V2、Vs和Vd，一边对所述第一栅极电极施加满足V1＜V2的不等式的电压V1的重置工序。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述工序(c)中，分别对所述第一栅极电极和所述第二栅极电极施加满足V1＝V2的等式的电压V1和V2。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

在所述工序(c)中，分别对所述第一栅极电极和所述第二栅极电极施加满足V1＝V2的等式的电压V1和V2。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

V1＝V2＝0伏。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

V1＝V2＝0伏。