[发明专利]有机电致发光元件无效
申请号: | 201080021834.0 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN102428588A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 熊均;河村祐一郎;甚出行俊;荻原俊成;细川地潮 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 | ||
1.一种有机电致发光元件,其至少依次具备阳极、发光层、电子输送区域、和阴极,
所述发光层含有主体材料和显示主峰波长为550nm以下的荧光发光的掺杂剂,
所述掺杂剂的亲和势Ad为所述主体材料的亲和势Ah以上,
所述掺杂剂的三重态能量ETd比所述主体材料的三重态能量ETh大,
在所述电子输送区域内,与所述发光层邻接地设有阻挡层,所述阻挡层的三重态能量ETb比ETh大。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述掺杂剂为选自荧蒽衍生物、硼络合物的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件,其中,
所述阳极与发光层之间具备空穴输送区域,
在所述空穴输送区域内,与所述发光层邻接地设有空穴输送层,所述空穴输送层的三重态能量ETho比ETh大。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述阻挡层含有芳香族烃化合物。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光元件,其中,所述芳香族烃化合物为多环芳香族化合物。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的有机电致发光元件,其中,在电场强度0.04~0.5MV/cm的范围内,构成所述阻挡层的材料的电子迁移率为10-6cm2/Vs以上。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述电子输送区域具有所述阻挡层以及电子注入层的层叠体,在电场强度0.04~0.5MV/cm的范围内,构成所述电子注入层的材料的电子迁移率为10-6cm2/Vs以上。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述电子输送区域具有所述阻挡层以及电子注入层的层叠体,所述阻挡层的亲和势Ab、所述电子注入层的亲和势Ae,满足Ae-Ab<0.2eV所表示的关系。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述电子输送区域由1层所述阻挡层构成。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述电子输送区域由1层所述阻挡层构成,所述阻挡层中掺杂有供体。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述主体材料为除环式结构以外的部分不含双键的化合物。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述掺杂剂为除环式结构以外的部分不含双键的化合物。
13.一种有机电致发光元件,其依次具备阳极、发光层、电子输送区域、和阴极,
所述发光层含有主体材料和荧光发光性掺杂剂,所述掺杂剂的亲和势Ad为所述主体材料的亲和势Ah以上,
所述掺杂剂的三重态能量ETd比所述主体材料的三重态能量ETh大,
在所述电子输送区域内,与所述发光层邻接地设有阻挡层,构成所述阻挡层的材料的三重态能量ETb比ETh大,
在电流效率为最大的施加电压时,在所述发光层生成的三重态激发子彼此碰撞生成的单态激发子来源的发光强度,相对于全部发光强度为30%以上,所述电流效率的单位为cd/A。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述阳极和所述阴极之间至少具有2层发光层,在2层发光层之间具有中间层。
15.根据权利要求1-13中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述阳极和所述阴极之间含有多个发光层,在第一发光层和第二发光层之间具有电荷阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择