[发明专利]太阳能电池和太阳能电池组件有效
申请号: | 201080021852.9 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102428572A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 姜周完;高志勋;金钟焕;张大熙 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池和太阳能电池组件。
背景技术
近来,由于预计现有的诸如石油和煤炭之类的能源将要耗尽,因此人们对于替代现有能源的替代能源的关注越来越多。在替代能源中,太阳能电池已经尤其成为公众注意的中心,这是因为作为从太阳能生成电能的电池的太阳能电池能够从丰富的来源提取能量且不会导致环境污染。
太阳能电池通常包括均由半导体形成的基板和发射极层、以及分别形成在基板和发射极层上的电极。形成基板和发射极层的半导体具有不同的导电类型,诸如p型和n型。在基板和发射极层之间的界面处形成有pn结。
当光入射到太阳能电池上时,在半导体中生成多个电子-空穴对。电子-空穴对被光伏效应分开为电子和空穴。因此,分开的电子移动到n型半导体(例如,发射极层),并且分开的空穴移动到p型半导体层(例如,基板),并且其后由与发射极层和基板连接的电极分别收集电子和空穴。使用电线将电极彼此连接以获得电力。
至少一个诸如汇流条之类的集电器布置于发射极层和基板二者每一个之上,并且发射极层上的集电器与电连接到发射极层的电极电连接,并且基板上的集电器与电连接到基板的电极电连接。因此,通过发射极层和基板的相应电极来收集的电子和空穴通过相应的集电器移动到连接到外部的负载。
然而,在此情况下,因为集电器形成在位于基板的入射有光的入射面上的发射极层上、以及基板的未入射有光的非入射面上,所以光的入射面积减小。因此,降低了太阳能电池的效率。
因此,开发金属穿孔卷绕(MWT:metal wrap through)太阳能电池和背接触太阳能电池以防止由于集电器导致的太阳能电池的效率降低。在MWT太阳能电池中,与发射极层相连接的集电器形成在与基板的光入射面相对的基板背面之上。在背接触太阳能电池中,全部收集电子和空穴的电极都形成在基板的背面上。
通过使多个每一个均具有上述结构的太阳能电池彼此连接来制造太阳能电池组件。通过使用连接器将多个太阳能电池的集电器彼此并联或串联连接来完成多个太阳能电池之间的电连接。
发明内容
解决问题的方案
在一个方面中,存在一种太阳能电池,其包括:第一导电类型的基板、布置在所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层、与所述发射极层电连接的多个第一电极、与所述基板电连接的第二电极、与所述多个第一电极电连接的第一集电器、以及与所述第二电极电连接的第二集电器,所述第二集电器包括与所述第二电极电连接的多个第二电极集电器、和用于使所述多个第二电极集电器彼此连接的集电器连接器。
所述多个第二电极集电器可在第一方向上延伸,并且所述集电器连接器可在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
所述多个第二电极集电器可位于所述第二电极上,并且所述集电器连接器可位于所述发射极层之上。
所述太阳能电池可进一步包括与所述多个第一电极电连接的虚拟电极部分。所述虚拟电极部分可包括平行于所述多个第一电极延伸的虚拟电极、和从所述虚拟电极延伸并且将所述虚拟电极与所述多个第一电极中的至少一个连接起来的虚拟连接器。
所述虚拟连接器的形成位置可与集电器连接器的形成位置相对应。
所述太阳能电池可进一步包括位于在所述基板中所述多个第一电极与所述第一集电器的交叉处的多个通孔。所述多个第一电极可在与所述第一集电器的方向不同的方向上延伸,并且可以通过所述多个通孔彼此电连接。
所述第一集电器和所述第二集电器可位于基板的、未入射有光的表面上。
在另一方面中,存在一种太阳能电池组件,其包括:多个太阳能电池,每个太阳能电池均包括基板、位于所述基板之上的发射极层、与所述发射极层电连接的多个第一电极、与所述基板电连接的第二电极、与所述多个第一电极电连接的第一集电器、和与所述第二电极电连接的第二集电器,第一连接器,其与所述多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一集电器连接;以及第二连接器,其与所述多个太阳能电池中的第二太阳能电池的第二集电器连接,其中,所述第一连接器和所述第二连接器在同一平面上形成一个直角。
所述第二集电器可包括与所述第二电极电连接的多个第二电极集电器、和用于使所述多个第二电极集电器彼此连接的集电器连接器。
所述第二连接器可位于所述集电器连接器上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的