[发明专利]飞轮

权利要求书

1.一种用于在第一和第二运动构件之间联接力的装置，

所述第一构件和第二构件中的每一个都具有交替磁极的阵列，所述交替磁极具有在其之间沿所述构件之间的相对运动方向的间隔，

磁通量联接元件设置在所述第一构件和第二构件之间，由此在所述第一构件的磁极和所述第二构件的磁极之间提供相对较高磁通密度的磁通密度区，其中

所述第一构件和第二构件及所述联接元件相对彼此设置成防止完全对准。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，第一磁极阵列和第二磁极阵列中的一个沿它们的轴线分割成分割磁极部分，且所述分割磁极部分中的一个沿运动方向与另一分割磁极部分有差别地对准。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述分割磁极部分的对准形成对称样式。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述分割磁极部分的对准形成V形或正弦波样式。

5.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述联接装置沿其轴线分割，且所述分割联接部分中的一个设置成沿相对于所述第一构件和第二构件的所述磁极中的一个的运动方向与另一所述分割联接部分有差别地对准。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述分割磁极部分的对准形成对称样式。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述分割磁极部分的对准形成V形或正弦波样式。

8.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一构件和第二构件能转动，且第一间隔和第二间隔是角间隔。

9.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一阵列设置在所述第二阵列之内。

10.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一阵列与所述第二阵列相对设置。

11.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一阵列设置在所述第二阵列旁边。

12.如权利要求1-7所述的装置，其特征在于，所述第一构件和第二构件能直线运动，且第一和第二间隔是直线间隔。

13.如权利要求1-7所述的装置，其特征在于，所述第一构件和第二构件能转动，第一间隔和第二间隔中的对应一个间隔是角间隔，所述第一构件和第二构件中的另一个能直线运动，而第一间隔和第二间隔中的对应另一个是直线间隔。

14.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述联接装置包括具有较高相对导磁率的材料构成的一个或多个联接元件。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述相对导磁率大于约400。

16.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述联接装置具有较小导电率。

17.如权利要求14所述的装置，其特征在于，每个联接元件包含到分隔所述第一构件和第二构件的隔膜中。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，每个联接元件与所述隔膜的厚度基本上相等或更大。

19.如权利要求14所述的装置，其特征在于，每个联接元件的尺寸随离开转动轴线的半径而增大。

20.如权利要求14所述的装置，其特征在于，在每个联接元件之间是具有较小导磁率和较小传导率的材料。

21.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，每个阵列的所述磁极相对于同一阵列中的其它磁极基本上等间隔。

22.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一阵列的所述磁极具有与所述第二阵列的那些磁极基本上相同的间隔。

23.如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一阵列的所述磁极具有比所述第二阵列的那些磁极间隔大或小的间隔。