[发明专利]用于优化形成引线环路的成环参数和成环轨迹的系统和方法有效
申请号: | 201080022381.3 | 申请日: | 2010-05-17 |
公开(公告)号: | CN102439706A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 秦巍;雷·L·凯斯卡特;黄强;迪帕克·索德;保罗·W·苏克罗;约瑟夫·O·丁格洛 | 申请(专利权)人: | 库力索法工业公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 优化 形成 引线 环路 参数 轨迹 系统 方法 | ||
一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法,所述方法包括以下步骤:
(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机;
(2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机,所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值;
(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数;
(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路;
(5)测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤(4)中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值;以及
(6)将在步骤(5)中测量的所述实际成环控制值与步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(1)中提供的所述封装数据包括以下至少一种:(a)与所述半导体封装相关的CAD数据和(b)利用所述引线接合机的联机教导参考系统得出的封装数据。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(1)中提供的所述封装数据包括以下至少一种:半导体管芯高度、半导体管芯的管芯垫位置、导线框的导线位置、第一接合位置与第二接合位置之间的相对距离、引线直径以及引线类型。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种:(a)所述所需引线环路的一部分的跨度距离,(b)所述所需引线环路的拉伸强度,(c)所述所需引线环路中的弯折或弯曲的XYZ位置,(d)所述所需引线环路的峰值特征,(e)所述所需引线环路的引线扭曲值,(f)所述所需引线环路中的引线长度,(g)所述所需引线环路的至少一部分的引线长度,(h)所述所需引线环路的管芯边缘间隙值,(i)所述所需引线环路的第二接合间隙值,(j)所述所需引线环路的至少一部分的形状,以及(k)在所述半导体封装中要彼此堆叠布置的多个引线环路的环路高度范围。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种:(a)用于所述所需引线环路的拉伸强度值的下限,以及(b)用于所述所需引线环路的拉伸强度值的可接受范围。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种:(a)用于所述所需引线环路的引线扭曲值的下限,以及(b)用于所述所需引线环路的引线扭曲值的可接受范围。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值包括以下至少一种:(a)所述成环控制值的上限,(b)所述成环控制值的下限,以及(c)所述成环控制值的可接受范围。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值通过图形界面提供。
如权利要求8所述的方法,其中,所述图形界面包括模型引线环路的示意图,从而使用者通过更改所述模型引线环路的示意图的特征来提供所述至少一个成环控制值。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(3)中得出的所述成环参数包括以下至少一种:(a)用于形成所述引线环路的工具轨迹,(b)由所述引线接合机的换能器应用的接合能参数,(c)由所述引线接合机应用的接合力参数;(d)与接合能和接合力中的至少一个相关的定时参数;(e)在形成所述所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的接合工具速度;以及(f)在形成所述所需引线环路的引线接合周期的至少一部分中的引线夹位置。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括得出在所述所需引线环路的形成过程中接合工具遵循的轨迹。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括利用存储在所述引线接合机中的环路模型数据与所述算法共同来更接近与所述所需引线环路相关的所述成环参数。
如权利要求12所述的方法,其中,所述环路模型数据包括存储在所述引线接合机的查阅表中的数据。
如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(3)中得出所述成环参数的步骤包括选择引线环路类型,以形成所述所需引线环路。
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