[发明专利]成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备

权利要求书

1. 成型体，其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层的成型体，其特征在于，

上述阻气层含有区域(A)，

所述区域(A)为自表面起朝着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域，

上述区域(A)具有：相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为20-55%，碳原子的存在比例为25-70%，硅原子的存在比例为5-20%的部分区域(A1)，和

氧原子的存在比例为1-15%，碳原子的存在比例为72-87%，硅原子的存在比例为7-18%的部分区域(A2)。

2. 权利要求1所述的成型体，其特征在于，上述区域(A)在含聚硅烷化合物的层的表层部形成。

3. 成型体，其特征在于，该成型体具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层。

4. 权利要求2或3所述的成型体，其特征在于，上述聚硅烷化合物是含有下式(1)所示的重复单元的化合物，

[化1]

式中，R¹、R²各自独立地表示氢原子、烷基、链烯基、环烷基、环烯基、芳基、羟基、烷氧基、环烷基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、可具有取代基的氨基、甲硅烷基或卤素原子，多个R¹、R²各自可以相同也可以不同。

5. 权利要求3所述的成型体，其特征在于，该成型体具有通过等离子体离子注入法向上述含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层。

6. 权利要求3所述的成型体，其特征在于，上述离子是选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化所得的。

7. 权利要求1-3、5或6中任一项所述的成型体，其特征在于，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率低于0.5 g/m²/天。

8. 权利要求3所述的成型体的制造方法，该方法具有以下工序：向在表面部具有含聚硅烷化合物的层的成型物的上述含聚硅烷化合物的层中注入离子。

9. 权利要求8所述的成型体的制造方法，其特征在于，上述注入离子的工序是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体离子化并进行注入的工序。

10. 权利要求8或9所述的成型体的制造方法，其特征在于，上述注入离子的工序是一边将在表面部具有含聚硅烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含聚硅烷化合物的层中注入离子的工序。

11. 电子设备用构件，其包括权利要求1-7中任一项所述的成型体。

12. 电子设备，其具备权利要求11所述的电子设备用构件。