[发明专利]异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法

说明书

技术领域

本发明涉及异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法。以下，将异氰脲酸三烯丙酯(三烯丙基异氰脲酸酯)记作“TAIC”。

背景技术

TAIC作为耐热性和耐药品性优异的交联剂是有用的，期待使用于电子材料、液晶、半导体、太阳能电池等宽领域中。例如，提出在印刷配线基板，即，在表面固定集成电路、电阻器、电容器等多个电子零件，以配线连接其零件之间而构成电子回路的板状或膜状的零件中，作为用于阻止液体和气体等物质进入零件内部的密封材料而使用TAIC(专利文献1)。在该方案中，因为TAIC在常温下是粘性液体(熔点26℃)，所以作为液态密封材料被使用。另外，为了提高其润湿性而添加硅烷偶联剂。另外，TAIC也可以作为交联性高分子的交联剂使用(专利文献2)。

但是，由于TAIC的熔点是26℃，所以，在冬季储藏中冻结固化，特别是在比较大型的容器(鼓形桶)中储藏时，存在加热熔融相当耗时的缺陷。此外，如果TAIC的处理温度变低，粘度就会迅速上升，操作性恶化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007-115840号公报

专利文献2：日本专利特开2006-036876号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明就是鉴于上述实际情况而做出的发明，其目的在于提供一种用于防止在冬季储藏中冻结固化的TAIC储藏方法。

用于解决课题的方法

本发明的发明人为了达到上述目的而进行了深入研究，结果得到以下见解，即，在使用TAIC时，作为濡湿性提高剂而添加硅烷偶联剂，但如果在TAIC使用前，在TAIC的储藏时添加该硅烷偶联剂，则TAIC的熔点下降，能够防止TAIC在冬季储藏中冻结固化，从而完成本发明。

本发明就是基于上述见解而完成的发明，其要点在于一种异氰脲酸三烯丙酯的储藏方法，其特征在于，混合异氰脲酸三烯丙酯和硅烷偶联剂，作为两者的组合物储藏。

发明的效果

根据本发明，能够防止TAIC在冬季储藏中的冻结固化，因此，在冬季，可以不用进行加热熔融的作业而处理TAIC，另外，由于所储藏的TAIC不呈现高粘度，所以处理时的操作性良好。

具体实施方式

以下，详细说明本发明。

首先，说明作为本发明对象的TAIC。作为TAIC的工业性制造方法，已知如下的3种方法。

(1)使2，4，6-三氯-1，3，5-三嗪(氰脲酰氯)与烯丙醇反应而得到氰脲酸三烯丙酯(以下记作“TAC”)，并使其进行转移反应的制造方法(TAC转移法)。

(2)使丙烯基氯于氰酸钠反应而得到异氰酸烯丙酯，并将其三聚化的制造方法(氰酸钠法)。

(3)在碱催化剂的存在下，使丙烯基氯与异氰脲酸反应(氰脲酸的互变异构体)反应的制造方法(异氰脲酸法)。

作为本发明对象的TAIC可以是由上述任意方法得到的TAIC。但是，关于TAIC的杂质似乎还没有报告，但优选需要尽可能除去作为金属腐蚀原因的杂质。在本发明中，从上述观点出发，推荐如下的TAIC。由于TAIC中的杂质种类因TAIC的制造方法而不同，所以，对作为本发明对象的优选TAIC按照制造方法逐一说明。

[由TAC转移法得到的TAIC]

由TAC转移法得到的TAIC，例如，可以按照下述反应途径，通过使2，4，6-三氯-1，3，5-三嗪(氰脲酰氯)与烯丙醇反应而得到(JACS.73卷.2986-2990(1951))氰脲酸三烯丙酯(TAC)，并使其进行转移反应而得到(日本特公平4-6570号公报)。

本发明的发明人对于由转移法得到的TAIC中的杂质进行了深入研究，结果得到下述见解。

(1)以TAC为原料得到的TAIC中的杂质在原料TAC中也存在。而在TAC中包含的杂质由以下化学式(Ⅰ)、(Ⅱ)和(Ⅲ)表示。

化学式(Ⅰ)的R¹和R²表示氯原子或烯丙氧基，但至少1个表示氯原子。化学式(Ⅲ)的R³、R⁴、R⁵中的任意一个表示氯原子，任意两个表示烯丙氧基。