[发明专利]传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种传感器，具有：

含硅的基底基板、

在所述基底基板的上方设置的晶种体、以及

与所述晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，

所述光热吸收体，按照入射到所述光热吸收体的入射光或施加到所述光热吸收体的热度而输出电信号。

2.根据权利要求1所述的传感器，还具有

形成在所述基底基板的上方，具有露出所述基底基板的至少一部分的区域的开口，并阻碍结晶生长的阻碍体，

所述晶种体，在所述开口内部形成。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中，

所述光热吸收体具有Ga_x1In_1-x1N_y1P_z1As_w1Sb_1-y1-z1-w1(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤z1≤1，0≤w1≤1，且0≤y1+z1+w1≤1)，

所述晶种体由C_x2Si_y2Ge_z2Sn_1-x2-y2-z2(0≤x2＜1，0≤y2≤1，0≤z2≤1，且0＜x2+y2+z2≤1)，或，Ga_x3In_1-x3N_y3P_z3As_w2Sb_1-y3-z3-w2(0≤x3≤1，0≤y3≤1，0≤z3≤1，0≤w2≤1，且0≤y3+z3+w2≤1)组成。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中，

所述光热吸收体为将由Ga_x1In_1-x1N_y1P_z1As_w1Sb_1-y1-z1-w1(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤z1≤1，0≤w1≤1，且0≤y1+z1+w1≤1)组成的第1层和，由Ga_x4In_1-x4N_y4P_z4As_w3Sb_1-y4-z4-w3(0≤x4≤1，0≤y4≤1，0≤z4≤1，0≤w3≤1，且0≤y1+z1+w1≤1)组成，且带隙比所述第1层的带隙更大的第2层层叠而成的超晶格构造体。

5.根据权利要求4所述的传感器，其中，

所述晶种体由C_x2Si_y2Ge_z2Sn_1-x2-y2-z2(0≤x2＜1，0≤y2≤1，0≤z2≤1，且0＜x2+y2+z2≤1)组成，

接触于所述基底基板和所述晶种体的界面，在所述基底基板内，还包括组成为C_x2Si_y2’Ge_z2Sn_1-x2-y2-z2(0＜x2≤1，0＜y2’≤1，0≤z2≤1，0＜x2+y2+z2≤1，且y2＜y2’＜1)的界面区域。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中，还具有再结合抑制体，

其接触于所述光热吸收体的侧壁而形成，且具有带隙比所述光热吸收体更大的半导体或带隙比所述光热吸收体更大的电介质，用于抑制在所述侧壁中的所述载流子的再结合。

7.根据权利要求6所述的传感器，其中，具有，

所述光热吸收体，在距与所述基底基板平行的面的中心的距离较大的位置处，具有成为较大的带隙的组成分布。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中，

所述光热吸收体，在x1≠1时，在距离所述中心的距离更大的位置处，具有In的比例变的更小的组成分布。

9.根据权利要求1所述的传感器，其中，

所述基底基板，具有包含与所述硅的本体区域所具有的杂质相反的传导型的杂质的杂质区域，

所述光热吸收体，通过所述晶种体与所述杂质区域电性结合。