[发明专利]用于半导体晶片上的液体弯月面的物理限制的方法及装置

权利要求书

1.用于物理限制在半导体晶片上的液体弯月面的装置，其包括：

第一化学头和第二化学头，所述第一化学头和第二化学头设置为覆盖所述半导体晶片的顶部表面和底部表面的至少一部分，所述第一化学头和第二化学头中的每一个都包括：

成角度的入口管道，其在前沿处以将液体化学品单相输送到弯月面的袋中，所述弯月面的袋界定在由所述第一化学头和所述第二化学头覆盖的所述半导体晶片的所述顶部表面和底部表面的所述一部分上以容纳作为弯月面施加到所述半导体晶片表面上的液体化学品；

内部返回管道，其位于所述第一化学头和所述第二化学头的后沿处并在所述弯月面的袋内，以便单相去除所述半导体晶片表面的所述液体化学品；

阶，其沿所述弯月面的袋的外围的至少一部分在所述第一化学头和所述第二化学头的前沿形成，以基本上将所述液体化学品的所述弯月面限制在所述弯月面的袋中，所述阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征，

其中所述入口管道与所述阶是间隔开的。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述阶被界定为包围限制所述弯月面的袋内的所述液体化学品的所述弯月面的袋。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述阶被界定为沿所述弯月面的前沿和侧边部分地限制所述弯月面的袋。

4.根据权利要求3所述的装置，其还包括将所述液体化学品单相输送到所述弯月面的袋中的至少一行成角度的入口管道和所述弯月面的袋中的单相去除所述液体化学品的至少一行内部返回管道。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一化学头和所述第二化学头错位，使得与配置在所述半导体晶片的底面上的所述第二化学头中的所述弯月面的袋相邻的所述阶的壁相对于与配置在所述半导体晶片的顶面上的所述第一化学头中的所述弯月面的袋相邻的所述阶的壁是向外伸展的。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一化学头和所述第二化学头的所述壁的所述错位是在约0.7毫米到约6毫米之间。

7.根据权利要求1所述的装置，其中配置在底面的所述第二化学头被配置为提供了所述液体化学品的深的弯月面的袋。

8.根据权利要求1所述的装置，其还包括配置在底部的第二化学头的槽，所述槽是形成在所述第二化学头的前沿处，并配置为回收从所述半导体晶片的所述表面上的所述弯月面的袋溢出的所述液体化学品。

9.根据权利要求1所述的装置，其中在配置在所述半导体晶片的顶部的所述第一化学头的所述成角度的入口管道和所述内部返回管道之间的表面被模式化，以促进所述液体化学品的加湿。

10.根据权利要求1所述的装置，其还包括第一冲洗头和第二冲洗头，所述第一冲洗头和第二冲洗头包括：

成角度的入口管道，其位于所述第一冲洗头和所述第二冲洗头的前沿处并在所述弯月面的袋内，并配置为将冲洗化学品单相输送到所述弯月面的袋中，所述弯月面的袋界定为覆盖所述半导体晶片的所述顶部表面和底部表面的至少一部分；

内部返回管道，其位于所述第一冲洗头和所述第二冲洗头的后沿处并在所述弯月面的袋内，以单相去除所述晶片的表面的所述冲洗化学品；

阶，其沿所述第一冲洗头和所述第二冲洗头的前沿的至少一部分在所述弯月面的袋的所述外围形成，以基本上将所述冲洗化学品的所述弯月面限制在所述弯月面的袋中；所述阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征，

其中所述入口管道与所述阶是间隔开的。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一冲洗头和所述第二冲洗头中的每一个还包括在所述第一冲洗头和所述第二冲洗头的所述后沿并在所述冲洗化学品的所述弯月面的袋的所述外围形成的外部返回管道，所述外部返回管道能两相去除所述冲洗化学品。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一冲洗头和所述第二冲洗头还配置为输送干化化学品，以在成功冲洗后基本上干化所述半导体晶片。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述阶的高度是作为所述弯月面内的所述液体化学品的一个或多个操作约束的函数计算的，其中所述操作约束是动态的。