[发明专利]用于两个超导体的末端件的超导连接装置及其制造方法

权利要求书

1.一种超导连接装置，所述超导连接装置用于超导体(2)的末端件，所述超导体至少为两个，且各具有由常导材料构成的基质(4)和至少一个嵌在所述基质内且由超导MgB₂(二硼化镁)构成的导体线芯(3i)，其中，在一套管(6)或套筒(9)中的连接区内，

所述末端件的导体线芯(3i)被至少部分剥除所述基质材料(4)，以及

还存在作为超导接触材料(7)的MgB₂或其初始材料，所述MgB₂至少位于所述导体线芯(3i)之间的部分区域内，

其特征在于，

所述导体线芯(3i)分别被一阻隔层直接包围，所述阻隔层由不同于所述基质材料(4)的阻隔材料构成，以及

至少一个正面连接区(8)上未设将所述导体线芯(3i)包围的阻隔材料(5)。

2.根据权利要求1所述的超导连接装置，其特征在于，

包含所述超导MgB₂和所述阻隔材料(5)的所述末端件经斜磨处理。

3.根据权利要求1或2所述的超导连接装置，其特征在于，

在低于所述MgB₂接触材料(7)的转变温度的温度下工作，所述转变温度为39K。

4.根据权利要求3所述的超导连接装置，其特征在于，

工作温度是约为4.2K的液氦温度。

5.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接装置，其特征在于，

所述基质材料(4)由铜或镍构成，或者所述基质材料(4)包含铜或镍，以及/或者所述套管(6)或套筒(9)为气密和/或水密封闭。

6.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接装置，其特征在于，

所述阻隔材料(5)由钢或不锈钢构成，或者包含钢或不锈钢。

7.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接装置，其特征在于，

可与一磁体的一超导电磁绕组配合。

8.根据权利要求7所述的超导连接装置，其特征在于，

可与一磁共振断层摄影系统的一磁体的一超导电磁绕组配合。

9.根据权利要求7或8所述的超导连接装置，其特征在于，

可与一设计为持续电流模式的超导电磁绕组配合。

10.一种制造一根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接装置的方法，其特征在于，

在所述待连接末端件处，至少部分剥除所述超导导体线芯(3i)上的基质材料(4)，

在所述剥除过程中不移除所述阻隔材料(5)，

至少在所述待连接末端件正面的连接区(8)内，使所述导体线芯(3i)的MgB₂材料裸露或至少部分裸露，

将经此剥除处理的导体线芯(3i)插入所述套管(6)或套筒(9)，

再将所述MgB₂接触材料(7)或其初始材料送入所述套管(6)或套筒(9)，以及

减小经此充填处理的套管(6)或套筒(9)的截面。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

在将包含所述超导MgB₂和所述阻隔材料(5)的末端件插入所述套管(6)或套筒(9)之前，先对其进行斜磨处理，以增大裸露MgB₂连接区(8)的面积。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，

对所述连接区(8)进行至少部分研磨和/或抛光处理。

13.根据权利要求10至12中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，

在一锡槽中移除所述基质材料(4)，在此过程中，所述导体线芯(3i)保持被所述阻隔材料(5)包围的状态。

14.根据权利要求10至13中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，

将粉末状的所述MgB₂接触材料(7)或其初始材料插入所述套管(6)或套筒(9)，并视情况对其进行热处理。

15.根据权利要求10至14中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，

在所述截面减小处理之后或期间对充填后的所述套管(6)或套筒(9)进行热处理，特定而言在低于600℃、优选低于250℃的温度下进行所述热处理，特定而言在氩气氛中进行所述热处理，在此过程中，特定而言将所述套管(6)或套筒(9)气密和/或水密封闭。