[发明专利]半色调掩模及其制造方法有效
申请号: | 201080023385.3 | 申请日: | 2010-05-26 |
公开(公告)号: | CN102449736A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 金武成 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色调 及其 制造 方法 | ||
1.一种半色调掩模,包括:基底;透射区,形成在所述基底上以透射预定波长的辐射光;以及半透过区,形成在所述基底上,具有由两种或多种半透过材料交替层叠的多个层,并且半透过区形成有根据层叠的半透过材料的数目具有不同透射率的多个半透过部。
2.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,该半色调掩模还包括具有阻挡层的阻挡区,该阻挡层形成在交替层叠的多种半透过材料的上表面或下表面上。
3.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述多个半透过部形成为根据叠层的数目具有范围在5%-80%内的光透射率差异。
4.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述半透过材料包括以Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作为主成分或用至少两种或多种所述元素混合成的复合材料,或者包括添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一种的单个所述主成分或所述复合材料,其中,下标x为自然数,限定了每种化学元素的数目。
5.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述至少两种或多种半透过材料中的每种材料用具有不同刻蚀比的半透过材料形成。
6.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述半透过区包括第一半透过部、第二半透过部和第三半透过部,所述第一半透过部交替层叠有第一半透过材料和第二半透过材料以使光的透过率多达X%,其中,所述半透过区用所述第一半透过材料和所述第二半透过材料交替形成,所述第二半透过部交替层叠有所述第一半透过材料和所述第二半透过材料以使光的透过率多达Y%,其中,所述第二半透过部比所述第一半透过部具有更少的半透过材料数目,以及所述第三半透过部交替层叠有所述第一半透过材料和所述第二半透过材料以使光的透过率多达Z%,其中,所述第三半透过部比所述第二半透过部具有更少的半透过材料数目。
7.一种半色调掩模的制造方法,包括:在基底上用至少两种或多种半透过材料交替层叠多层;在所述交替层叠的至少两种或多种半透过材料上层叠阻挡层;一步步刻蚀所述交替层叠的两种或多种半透过材料,以形成具有不同高度的多个半透过部。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述多个半透过部形成为根据层叠的半透过材料的数目具有范围在5%-80%的光透射率。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述一步步刻蚀交替层叠的两种或多种半透过材料以形成具有不同高度的多个半透过单元的步骤包括:在至少交替层叠有两种或多种半透过材料的所述阻挡层上层叠光刻胶,以使每层光刻胶都具有台面;以及利用形成有台面的所述光刻胶作掩模顺序刻蚀露出的所述阻挡层和交替层叠的所述两种或多种半透过材料,以使所述阻挡层和所述半透过材料具有互不相同的高度。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述至少两种或多种半透过材料中的每种半透过材料都具有不同的刻蚀比。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述半透过材料包括以Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作为主成分或用至少两种或多种所述元素混合成的复合材料,或者包括添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一种的单个所述主成分或所述复合材料,其中,下标x为自然数,限定了每种化学元素的数目。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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