[发明专利]微机械可调法布里珀罗干涉仪、中间产品及其制造方法

权利要求书

1.一种电可调法布里珀罗干涉仪，包括：

衬底(130)，

第一镜结构(101～106)，在所述衬底上，

第二可移动镜结构(113a～118)，其中所述第一和第二镜结构包括基本上平行的第一镜和第二镜，

法布里珀罗腔(123)，在所述第一镜和第二镜之间，其中通过在设置所述第二镜结构之前在所述第一和第二镜结构之间设置牺牲层并且在设置所述第二镜结构之后去除所述牺牲层而形成所述腔，

电极(106，113a，113b)，用于电控制所述镜之间的距离，

其特征在于，

至少一个镜具有富硅氮化硅的层(103，105，114，116)。

2.根据权利要求1所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述干涉仪的至少一个镜具有至少三个材料层，包括硅的第一层(102，115)、在所述第一层上的富硅氮化硅的第二层(103，116)，并且在所述第二层上设置硅的第三层(104，117)。

3.根据权利要求1或2所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，由于加入的硅含量，所述富硅氮化硅的折射率值高于纯氮化硅的折射率值。

4.根据上述权利要求中任一项所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，已经增加了所述富硅氮化硅中的硅含量，以调整结构的拉伸应力。

5.根据上述权利要求中任一项所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述干涉仪具有用于所述电极的电接头(110a，110b)，其中，至少一个电接头被导引穿过富硅氮化硅的层(114，116)中的开口。

6.根据权利要求5所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述开口已通过等离子蚀刻设置，其中，采用了停蚀层(43)限制所述开口的深度。

7.根据权利要求6所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述停蚀层(43)是氧化铝、二氧化硅或氧化钽。

8.根据上述权利要求中任一项所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述干涉仪包括已经从晶圆切下的干涉仪芯片。

9.根据权利要求8所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，在所述干涉仪芯片已从所述晶圆切下之后，所述牺牲层的至少一部分已被去除。

10.根据上述权利要求中任一项所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述第二镜包括不同材料的至少两层以及穿过所述至少两层的多个孔(151)，从而所述至少两层中的每层，优选围绕所述第二镜的所述孔的所有层，到达所述多个孔的边缘。

11.根据上述权利要求中任一项所述的电可调法布里珀罗干涉仪，其特征在于，所述第二镜包括多个孔(151)，其中所述牺牲层的至少一部分已经用蒸汽HF通过所述第二镜的所述多个孔蚀刻而去除。

12.一种电可调法布里珀罗干涉仪的中间产品，包括：

衬底(130)，

第一镜结构(101～106)，在所述衬底上，

第二可移动镜结构(113a～118)，其中所述第一和第二镜结构包括基本上平行的第一镜和第二镜，

牺牲层(123)，在所述第一和第二镜结构之间，

电极(106，113a，113b)，用于电控制所述镜之间的距离，

其特征在于，

至少一个镜具有富硅氮化硅的层(103，105，114，116)。

13.一种用于制造可控法布里珀罗干涉仪的方法，其中，

设置衬底(11)，

在所述衬底上设置第一镜(12，13)，

设置第二可移动镜结构(15～17)，其中所述第一和第二镜结构包括基本上平行的第一镜和第二镜，

在所述第一镜和所述第二镜之间设置法布里珀罗干涉仪腔，其中设置所述腔包括在设置所述第二镜结构之前在所述第一和第二镜结构之间设置牺牲层(14)，并在设置所述第二镜结构之后去除所述牺牲层(22)，

设置用于电控制所述镜之间的距离的电极(13，15，19)，

其特征在于，

至少一个镜的至少一个层由富硅氮化硅制成。