[发明专利]用于后续高温第三族沉积的基材预处理

权利要求书

一种形成III族金属氮化物薄膜的方法，包括：

加热一个或多个蓝宝石基材至预处理温度；以及

当所述一个或多个蓝宝石基材各自的表面在所述预处理温度时，将所述表面暴露于预处理气体混合物以形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨(NH₃)与卤素气体。

如权利要求1所述的方法，其中所述卤素气体是氯(Cl₂)。

如权利要求1所述的方法，其中暴露所述一个或多个蓝宝石基材的表面进一步包括形成预处理表面的区，所述区包括氮氧化铝或氮化铝。

如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述一个或多个蓝宝石基材各自的预处理表面上形成III族金属氮化物层。

如权利要求4所述的方法，其中形成所述III族金属氮化物层包括形成氮化镓层或氮化铝层。

如权利要求4所述的方法，其中形成所述III族金属氮化物层的步骤进一步包括将所述一个或多个蓝宝石基材暴露于一含氮前驱物气体与III族金属卤化物气体。

如权利要求6所述的方法，其中：

所述含氮前驱物气体包括氨；以及

所述III族金属卤化物气体是通过将金属源暴露于包括氯(Cl₂)的第一处理气体而形成的，并且其中所述金属源包括选自镓、铝与铟所构成的群组的元素。

如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述预处理表面暴露于包括氨与载气的气体混合物。

如权利要求8所述的方法，其中所述载气包括氮。

如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述一个或多个蓝宝石基材的温度被加热至所述预处理温度时，输送包括氨(NH₃)的清洁气体。

如权利要求10所述的方法，其中所述清洁气体进一步包括氮。

如权利要求1所述的方法，其中所述蓝宝石基材是单晶蓝宝石基材。

一种形成III族金属氮化物薄膜的方法，包括：

加热一个或多个蓝宝石基材至预处理温度；

当所述一个或多个蓝宝石基材各自的表面在所述预处理温度时，将所述表面暴露于预处理气体混合物以形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨(NH₃)、III族金属卤化物气体及含蚀刻剂气体，所述含蚀刻剂气体包括卤素气体，其中暴露所述一个或多个蓝宝石基材的表面进一步包括形成预处理表面的区，所述区包括氮氧化铝或氮化铝；以及

在所述预处理表面上形成III族金属氮化物层。

如权利要求13所述的方法，其中所述卤素气体是氯(Cl₂)。

如权利要求13所述的方法，其中所述III族金属卤化物气体是通过将金属源暴露于包括氯(Cl₂)的第一处理气体而形成的，并且其中所述金属源包括铝。

如权利要求13所述的方法，其中形成所述III族金属氮化物层进一步包括将所述一个或多个蓝宝石基材暴露于含氮前驱物气体与含氯化镓气体。