[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底

权利要求书

1.一种用于制造碳化硅衬底(1)的方法，包括以下各步骤：

准备由碳化硅制成的基底衬底(10)和由单晶碳化硅制成的SiC衬底(20)；

形成Si膜(30)，所述Si膜(30)由硅制成，并且所述Si膜(30)在所述基底衬底(10)的主表面上且与所述主表面接触；

通过将所述SiC衬底(20)放置在所述Si膜(30)上并且使所述SiC衬底(20)与所述Si膜(30)接触来制造堆叠衬底；以及

通过加热所述堆叠衬底以至少使所述Si膜(30)中的与所述基底衬底(10)接触的区域以及与所述SiC衬底(20)接触的区域转换成碳化硅，来使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，还包括如下步骤：

对于所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的、将在所述的制造所述堆叠衬底的步骤中被设置为在中间夹着所述Si膜(30)的情况下彼此面对面的主表面中的至少一个主表面进行平滑化，在所述的制造所述堆叠衬底的步骤之前执行所述的平滑化的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述的形成所述Si膜(30)的步骤中形成的所述Si膜(30)具有不小于10nm且不大于1μm的厚度。

4.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述的使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接的步骤中，在包括含有碳的气体的气氛中加热所述堆叠衬底。

5.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述的制造所述堆叠衬底的步骤中，当以平面视角观察时，并排布置多个所述SiC衬底(20)。

6.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述堆叠衬底中，所述SiC衬底(20)的相对于所述基底衬底(10)相反的主表面(20A)具有相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的偏离角。

7.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中：

所述基底衬底(10)由单晶碳化硅制成，并且

在所述的制造所述堆叠衬底的步骤中，制造所述堆叠衬底以使得所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的将被设置为在中间夹着所述Si膜(30)的情况下彼此面对面的主表面具有相同的面取向。

8.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述的将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接的步骤之前不对所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的主表面进行抛光的情况下，来执行使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接的步骤，其中所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的所述主表面将在所述的使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接的步骤中被设置成彼此面对面。

9.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，还包括以下步骤：

对所述SiC衬底(20)的主表面(20A)进行抛光，所述主表面(20A)对应于所述SiC衬底(20)的相对于所述基底衬底(10)相反的主表面(20A)。

10.一种碳化硅衬底(1)，包括：

基底层(10)，所述基底层(10)由碳化硅制成；

中间层(40)，所述中间层(40)形成在所述基底层(10)上并且与所述基底层(10)接触；以及

SiC层(20)，所述SiC层(20)由单晶碳化硅制成，并且所述SiC层(20)设置在所述中间层(40)上且与所述中间层(40)接触，

所述中间层(40)在该中间层(40)与所述基底层(10)相邻的区域以及该中间层(40)与所述SiC层(20)相邻的区域中包含碳化硅，并且所述中间层(40)使所述基底层(10)和所述SiC层(20)彼此连接。

11.根据权利要求10所述的碳化硅衬底(1)，其中，

当以平面视角观察时，并排布置多个所述SiC层(20)。