[发明专利]太阳能电池设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080023922.4 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN102449779A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 李东根 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;林锦辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 设备 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池设备,包括:

太阳能电池;以及

在所述太阳能电池上的具有多个微孔的减反射层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述减反射层具有在约1.18至约1.29范围内的折射率。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述减反射层包括多个晶体柱,所述多个晶体柱在相对于所述太阳能电池的上表面倾斜的方向上延伸,并且所述微孔位于晶体柱之间。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括位于所述减反射层和所述太阳能电池之间的透明的保护衬底,其中,所述减反射层涂布在所述保护衬底的上表面上。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述太阳能电池包括:

后电极;

光吸收层,位于所述后电极上;以及

上电极层,位于所述光吸收层上,其中所述减反射层涂布在所述上电极层上。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池设备,其中,每个微孔的宽度在每个晶体柱的宽度的约1/20到约1/5的范围内。

7.一种太阳能电池设备,包括:

太阳能电池;以及

在所述太阳能电池上的减反射层,

其中,所述减反射层包括多个晶体柱,所述多个晶体柱在相对于所述太阳能电池的上表面倾斜的方向上延伸。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,所述晶体柱相对于所述太阳能电池的上表面倾斜约10°到约50°的角度。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,所述减反射层包括氧化钛或氟化镁。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,所述太阳能电池包括:

后电极层;

光吸收层,位于所述后电极层上;以及

上电极层,位于所述光吸收层上,其中所述晶体柱从所述上电极层的上表面延伸。

11.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,进一步包括位于所述减反射层和所述太阳能电池之间的透明的保护衬底,其中,所述晶体柱从所述保护衬底的上表面延伸。

12.一种太阳能电池设备,包括:

太阳能电池;

在所述太阳能电池上的第一减反射层;以及

在所述第一减反射层上的第二减反射层,

其中,所述第一减反射层包括多个第一晶体柱,所述多个第一晶体柱在相对于所述太阳能电池的上表面倾斜的第一方向上延伸,并且所述第二减反射层包括多个第二晶体柱,所述多个第二晶体柱在相对于所述太阳能电池的上表面倾斜的第二方向上延伸。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池设备,其中,所述第一减反射层和所述第二减反射层包括彼此相同的材料并且具有彼此不同的折射率。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池设备,其中,所述第二晶体柱和所述太阳能电池的上表面之间的第二角度小于所述第一晶体柱和所述太阳能电池的上表面之间第一角度。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池设备,进一步包括在所述第二减反射层上的第三减反射层,其中,所述第三减反射层包括多个第三晶体柱,所述多个第三晶体柱沿相对于所述太阳能电池的上表面倾斜的第三方向延伸,并且,所述第三晶体柱和所述太阳能电池的上表面之间的角度小于所述第二晶体柱和所述太阳能电池的上表面之间的所述第二角度。

16.根据权利要求12所述的太阳能电池设备,其中,所述第一方向相对于与所述太阳能电池的上表面垂直的平面在一个方向上倾斜,并且所述第二方向在该垂直平面的相反方向上倾斜。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池设备,进一步包括在所述第二减反射层上的第三减反射层,

其中,所述第三减反射层包括多个第三晶体柱,所述多个第三晶体柱在相对于所述太阳能电池的上表面的第三方向上倾斜,并且所述第三方向在相对于所述垂直平面的不同于所述第二方向的一个方向上倾斜。

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