[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法有效
申请号: | 201080023970.3 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102449780A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 李东根;池奭宰 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池装置,包括:
衬底;
电极层,该电极层在所述衬底上并且具有第一通孔;
光吸收层,该光吸收层在所述电极层上并且具有第二通孔;以及
窗口层,该窗口层在所述光吸收层上并且具有与第二通孔重叠的第三通孔。
2.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第二通孔的一个内侧面与所述第三通孔的一个内侧面在同一平面上齐平。
3.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第三通孔与所述第二通孔完全重叠。
4.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第二通孔的宽度比所述第三通孔的宽度大。
5.如权利要求1所述的太阳能电池装置,还包括连接部分,该连接部分设置在所述第二通孔中并且从所述窗口层延伸,从而与所述电极层连接,其中,该连接部分直接与所述第二通孔的一个内侧面接触,而与所述第二通孔的其它内侧面分开。
6.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第一通孔与所述第二通孔重叠。
7.如权利要求6所述的太阳能电池装置,还包括从所述窗口层延伸的连接部分,并且该连接部分设置在第一通孔和第二通孔中。
8.如权利要求6所述的太阳能电池装置,其中,在与所述第二通孔对应的区域处的所述电极层的厚度比在除了所述第二通孔以外的区域处的所述电极层的厚度小。
9.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第一通孔与所述第二通孔相邻。
10.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述第一通孔与所述第二通孔重叠。
11.一种太阳能电池装置,包括:
衬底;
第一后电极和第二后电极,该第一后电极和第二后电极在所述衬底上并且彼此分开;
第一光吸收部分,该第一光吸收部分在所述第一后电极上;
第一窗口,该第一窗口在所述第一光吸收部分上;
第二光吸收部分,该第二光吸收部分在所述第二后电极上;
第二窗口,该第二窗口在所述第二光吸收部分上;以及
连接部分,该连接部分从所述第一窗口延伸,并且与所述第一光吸收部分的一个侧面接触,同时与所述第二光吸收部分分开,从而与所述第二后电极连接,
其中,所述连接部分与所述第二后电极的侧面和上表面接触。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述第二后电极具有台阶部。
13.一种太阳能电池装置的制造方法,该方法包括:
在衬底上形成电极层;
通过部分去除该电极层形成第一通孔;
在所述电极层上形成光吸收层;
通过部分去除所述光吸收层形成与所述第一通孔相邻的第二通孔;
在所述光吸收层上形成窗口层;以及
通过部分去除所述窗口层形成与所述第二通孔重叠的第三通孔。
14.如权利要求13所述的方法,其中,当形成所述窗口层时,在所述第二通孔中填充导电材料,并且当形成所述第三通孔时,部分去除所述导电材料。
15.如权利要求13所述的方法,其中,当形成所述第三通孔时,部分去除所述光吸收层。
16.如权利要求13所述的方法,其中,所述第二通孔与所述第一通孔部分重叠。
17.如权利要求16所述的方法,其中,当形成所述光吸收层时,在所述第一通孔中填充半导体材料,并且当形成所述第二通孔时,部分去除填充在所述第一通孔中的半导体材料。
18.如权利要求17所述的方法,其中,形成所述第二通孔包括部分去除所述光吸收层和部分去除填充在所述第一通孔中的半导体材料。
19.如权利要求16所述的方法,其中,当形成所述第二通孔时,部分去除所述电极层,从而在所述电极层中形成台阶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的