[发明专利]表面改性的氧化锆纳米晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种表面改性的氧化锆纳米晶粒，

其特征在于，通过有机磺酰氧基使所述氧化锆纳米颗粒的表面改性。

2.根据权利要求1所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒，

其特征在于，所述的有机磺酰氧基为可具有取代基的烷基磺酰氧基。

3.根据权利要求1所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒，

其中所述的有机磺酰氧基为可在芳香环上具有取代基的芳基磺酰氧基。

4.根据权利要求3所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒，

其中所述的芳基磺酰氧基为对甲苯磺酰氧基。

5.一种制造其表面通过弱酸残基改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其中通过使用由比磺酸更弱的酸和强碱组成的盐，使根据权利要求1至4任一项所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂从有机磺酰氧基被所述弱酸残基取代。

6.一种制造其表面通过羰酰氧基改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其特征在于，根据权利要求1至4任一项所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂被羰酰氧基取代。

7.一种制造其表面通过有机磷酰基改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其特征在于，根据权利要求1至4中任一项所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂被有机磷酰氧基取代。

8.根据权利要求7所述的制造表面改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其中通过使用有机膦酸或有机次膦酸，使表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂被有机磷酰氧基取代。

9.根据权利要求7所述的制造表面改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其中通过使用磷酸酯，使表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂被有机磷酰氧基取代。

10.一种制造其表面通过芳氧基改性的氧化锆纳米晶粒的方法，

其特征在于，其中根据权利要求1至4任一项所述的表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂被芳氧基取代。