[发明专利]制造电子装置的设备和方法

权利要求书

1.一种设备，其包含：

具有压印表面的模板，其中所述压印表面包括具有适于制造鳍式场效应晶体管FinFET装置的第一图案的第一区，和具有适于制造平面电子装置的第二图案的第二区。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述模板为单片模板。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述FinFET装置和所述平面电子装置位于衬底上。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述模板经配置以将所述第一图案和所述第二图案赋予衬底上的可压印媒体。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述FinFET装置和所述平面电子装置是在不使用额外的图案化光致抗蚀剂层的情况下而制造。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述平面电子装置为场效应晶体管FET。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一图案适于制造多个FinFET装置。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二图案适于制造多个平面电子装置。

9.一种制造电子装置的方法，所述方法包含：

通过将模板施加于由衬底支撑的流体光致抗蚀剂材料而形成图案化光致抗蚀剂层；

使用所述形成的图案化光致抗蚀剂层来形成所述电子装置；

其中所述模板具有压印表面，所述压印表面包括具有适于制造鳍式场效应晶体管FinFET装置的第一图案的第一区，和具有适于制造平面电子装置的第二图案的第二区。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含：

将所述图案化光致抗蚀剂层形成为固体层；以及

将所述适于制造FinFET装置的第一图案和所述适于制造平面电子装置的第二图案转印到所述衬底。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述模板是单片的。

12.根据权利要求9所述的方法，其中在不将额外的图案化光致抗蚀剂层施加于所述衬底的情况下制造所述FinFET装置和所述平面电子装置。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述流体光致抗蚀剂材料包含热塑性聚合物树脂、热固性聚合物树脂或光可固化液体。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述平面电子装置为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述压印表面包括具有适于在所述衬底上制造另一FinFET装置的第三图案的第三区，和具有适于在所述衬底上制造另一平面电子装置的第四图案的第四区。

16.一种装置，其包含：

鳍式场效应晶体管FinFET装置；以及

平面电子装置；

其中所述FinFET装置和所述平面电子装置位于单片衬底上；

其中所述FinFET装置和所述平面电子装置是通过使用具有压印表面的模板来图案化流体光致抗蚀剂材料而形成，所述压印表面包括：

具有第一图案的第一区，所述第一图案适于制造所述FinFET装置；以及

具有第二图案的第二区，所述第二图案适于制造所述平面电子装置。

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述模板为单片模板。

18.根据权利要求16所述的装置，其中所述平面电子装置为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

19.根据权利要求16所述的装置，其进一步包含无线电话，所述无线电话包括所述FinFET装置和所述平面电子装置。

20.根据权利要求16所述的装置，其中所述平面电子装置包括于存储器装置的读出放大器中。

21.根据权利要求20所述的装置，其中所述FinFET装置包括于所述存储器装置的存储器单元中。

22.根据权利要求16所述的装置，其中所述平面电子装置包括于存储器装置的解码器中。