[发明专利]电沉积的金纳米结构

权利要求书

1.一种在金衬底上形成金纳米结构的方法，其包括以下步骤：在介于20和40℃的电沉积温度和至少15秒的沉积时间下，由四卤化金酸(III)或四卤化金酸碱金属盐(III)和生长指向添加剂的溶液，将金电沉积在金工作电极上。

2.权利要求1的方法，其中生长指向添加剂选自各种铅盐、卤化物、糖精、Nafion、CTAB、SDS、Triton、和半胱氨酸。

3.权利要求1的方法，其中该沉积溶液包含2.718g/l的四氯化金酸(III)水合物和0.1-0.5g/l的乙酸铅。

4.前述权利要求之一的方法，其中将沉积的纳米结构在高于150℃的温度下加热延长的一段时间。

5.前述权利要求之一的方法，其中使用介于0.1mA和5mA的恒定电流。

6.权利要求1-4之一的方法，其中使用介于0.2V和3V的恒定电势差。

7.一种化学和生物感测器，其中感测器表面是敷金属的衬底，利用权利要求1的沉积方法，将具有受控结晶小面的金纳米结构与衬底牢固粘结。

8.一种汞蒸汽感测器，其中感测器表面是敷金属的衬底，将具有受控结晶小面的金纳米结构与具有间隙空间的衬底牢固粘结。

9.权利要求8的汞蒸汽感测器，其包括具有在初级结构上次节点形式的二级粗糙度的分层纳米结构。

10.一种利用抽取稀释技术的汞蒸汽感测器系统，其中收集、稀释样品，并且使样品通过包括权利要求8或9中的感测器的感测器室。

11.权利要求10的汞蒸汽感测器系统，其中感测器室中的压力高于大气压力。