[发明专利]半导体用铜合金接合线无效
| 申请号： | 201080024772.9 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102459668A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 宇野智裕;寺岛晋一;山田隆;小田大造 | 申请（专利权）人： | 新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22F1/08;H01L21/60;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 铜合金 接合 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉丝加工而成的，所述铜合金含有0.13～1.15质量％的Pd，其余量为铜和不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，线表面的氧化铜的平均膜厚为0.0005～0.02μm的范围。
3.根据权利要求1或2所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，在与线纵向平行的线截面中的晶粒的平均尺寸为2μm以上且为线直径的1.5倍以下。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，所述铜合金还含有总计为0.0005～0.07质量％的Ag、Au的至少一种。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体用铜合金接合线，其特征在于，所述铜合金还含有总计为0.0005～0.025质量％的Ti：0.0005～0.01质量％、B：0.0005～0.007质量％以及P：0.0005～0.02质量％的至少一种。
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