[发明专利]在半导体发光器件上形成电介质层的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层；

在一部分的n型区域上形成第一金属接触以及在一部分的p型区域上形成第二金属接触，其中该第一和第二金属接触形成于该半导体结构的同一侧；以及

在该第一和第二金属接触之间布置电介质材料，其中该电介质材料直接接触一部分的半导体结构、一部分的第一金属接触和一部分的第二金属接触；以及

形成平坦表面，该平坦表面包括该第一金属接触的表面、该第二金属接触的表面和该电介质材料的表面。

2.权利要求1的方法，其中在将电介质材料布置在第一和第二金属接触之间之前，进行形成第一金属接触和第二金属接触。

3.权利要求1的方法，其中：

在形成第一金属接触和第二金属接触之前，进行布置电介质材料；以及

布置电介质层包括：

       在该半导体结构上方形成电介质材料；以及

       移除部分的该电介质材料以露出该第一和第二金属接触布置于其上的部分的n型区域和p型区域。

4.权利要求1的方法，还包括在形成平坦表面之后，蚀刻掉第一和第二金属接触之间的一部分的电介质材料。

5.权利要求4的方法，其中在蚀刻掉一部分的该电介质材料之后，该电介质材料的顶表面比该第二金属接触的顶表面低小于500nm。

6.权利要求1的方法，其中该电介质材料为聚合物、聚酰亚胺和苯并环丁烯基材料中的一种，以及其中布置电介质材料包括通过旋转涂敷布置该电介质材料。

7.权利要求1的方法，其中该电介质材料为无机材料、二氧化硅和氮化硅中的一种，以及其中布置电介质材料包括通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积和真空沉积技术中的一种布置该电介质材料。

8.权利要求1的方法，其中形成平坦表面包括通过化学机械抛光移除材料。

9.权利要求1的方法，其中在形成平坦表面之后，电介质材料布置在该第一金属接触和第二金属接触上方，该方法还包括：

在该电介质材料中形成第一开口以露出一部分的第一金属接触；

在该电介质材料中形成第二开口以露出一部分的第二金属接触；

在该第一和第二开口中布置金属；

形成直接接触该第一开口中的金属的第三金属接触；以及

形成直接接触该第二开口中的金属的第四金属接触。

10.权利要求1的方法，其中：

至少一部分的第一金属接触基本上围绕该第二金属接触；以及

基本上围绕该第二金属接触的该部分第一金属接触的一节段被省略并且用电介质桥替代；

该方法还包括：

将该第一和第二金属接触连接到底座，使得该电介质桥与该底座上的接触垫对齐，其中该接触垫电连接到该第二金属接触。

11.权利要求1的方法，其中形成半导体结构包括在生长衬底上生长该半导体结构，该方法还包括：

将该第一和第二金属接触连接到底座；以及

移除该生长衬底。

12.权利要求1的方法，还包括：

在该半导体结构和底座之间布置柔性结合结构；以及

将该半导体结构结合到该底座，其中结合造成该柔性结合结构崩塌，使得该柔性结合结构将该半导体结构电和机械地连接到该底座，以及其中该柔性结合结构在结合期间保持在固相。

13.权利要求12的方法，其中该柔性结合结构包括多个金属凸点。

14.权利要求13的方法，其中该凸点为金。