[发明专利]Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质无效
| 申请号： | 201080025262.3 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102460665A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 河野有美子;有马进 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L45/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ge sb te 方法 存储 介质 | ||
1.一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其特征在于，具备：
在处理容器内不存在基板的状态下使所述处理容器内暴露于含有Cl和F中的至少一种的气体；
然后，将基板运入所述处理容器内；和
向运入有基板的所述处理容器内导入气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料，采用CVD在基板上形成作为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜。
2.如权利要求1所述的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其中，使所述处理容器内暴露于含有Cl和F中的至少一种的气体时，使用ClF3气体作为含有Cl和F中的至少一种的气体。
3.如权利要求1所述的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其中，在200～500℃范围的温度中形成所述Ge-Sb-Te膜。
4.如权利要求3所述的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其中，使所述处理容器内暴露于含有Cl和F中的至少一种的气体时，以形成所述Ge-Sb-Te膜的温度的±50℃范围的温度进行。
5.如权利要求1所述的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其中，Ge原料、Sb原料和Te原料由含有烷基的化合物形成。
6.一种存储介质，其特征在于，是在计算机上运行、且存储有控制成膜装置的程序的存储介质，
所述程序在执行时，按照运行以下Ge-Sb-Te膜的成膜方法的方式使计算机控制所述成膜装置，
所述成膜方法具备：在处理容器内不存在基板的状态下使所述处理容器内暴露于含有Cl和F中的至少一种的气体；然后，将基板运入所述处理容器内；向运入有基板的所述处理容器内导入气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料，采用CVD在基板上形成作为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
