[发明专利]阻挡层、成膜方法以及处理系统

权利要求书

1.一种成膜方法，其用于对在表面形成有绝缘层的被处理体实施成膜处理，该绝缘层由具有凹部的low-k膜构成，金属层暴露于该凹部的底面；其特征在于，

该成膜方法包括以下工序：

第1金属含有膜形成工序，其用于形成第1金属含有膜，该第1金属含有膜含有第1金属；

第2金属含有膜形成工序，其在上述第1金属含有膜形成工序之后进行，其用于形成第2金属含有膜，该第2金属含有膜含有第2金属，该第2金属对填充到上述凹部中的填充金属具有阻挡性；

上述第2金属为Mn。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

交替地进行上述第1金属含有膜形成工序和上述第2金属含有膜形成工序，在最后进行的是上述第1金属含有膜形成工序。

3.一种成膜方法，其用于对在表面形成有绝缘层的被处理体实施成膜处理，该绝缘层由具有凹部的low-k膜构成，金属层暴露于该凹部的底面；其特征在于，

该成膜方法具有合金膜形成工序，其用于形成合金膜，该合金膜包括：第1金属、对填充到上述凹部中的填充金属具有阻挡性的第2金属、作为上述填充金属的材料的第3金属；

上述第2金属为Mn。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

上述第1金属含有膜形成工序和上述第2金属含有膜形成工序在同一个处理容器内连续地进行。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法具有用上述填充金属将上述凹部内填充的填充工序。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，

上述low-k膜由1种以上的膜构成，该1种以上的膜从由SiOC膜、SiCOH膜、SiCN膜、多孔质二氧化硅膜、多孔质甲基倍半硅氧烷膜、聚芳醚膜、SiLK膜、氟碳膜构成的群中选择，SiLK是注册商标。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，

上述第1金属为从由Ru、Fe、Co、Ni、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、Ta、Zr、W、Al、V、Cr构成的群中选择的1种以上的元素。