[发明专利]固态异质结装置有效
申请号: | 201080025397.X | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN102625956A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 亨利·J·施耐德 | 申请(专利权)人: | 牛津大学技术转移公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 段晓玲 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 异质结 装置 | ||
1.一种固态p-n异质结,其包括与n型材料接触的有机p型材料,其中所述n型材料含有SnO2,所述SnO2具有至少一个表面涂层材料的表面涂层,所述表面涂层材料具有比SnO2更靠近真空能阶的传导带边缘和/或比SnO2更高的能带隙。
2.如权利要求1所述的固态p-n异质结,其中通过优选地在所述p型和n型材料的结处额外地含有至少一种敏化剂,使所述异质结对光敏感。
3.如权利要求2所述的固态p-n异质结,其中所述敏化剂为有机染料、金属络合染料、量子点光敏剂或其混合物。
4.如权利要求2或3所述的固态p-n异质结,其中所述染料为选自钌络合染料、金属酞菁络合染料、金属卟啉络合染料、斯夸苷染料、噻吩基染料、氟基染料、聚合物染料、量子点敏化剂和其混合物中的至少一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的固态p-n异质结,其中所述p型材料为有机空穴传输物,优选为大体上非晶的有机空穴传输物。
6.如权利要求5所述的固态p-n异质结,其中所述有机空穴传输物可选地为至少一种下面的化学式(tI)、(tII)、(tIII)、(tIV)和/或(tV)的寡聚体化的、聚合的和/或交联的化合物,
其中,如果存在的话,N为氮原子;
如果适合的话,n在1-20的范围内;
A为单环或多环体系,其包含至少一对共轭双键(-C=C-C=C-),所述环状体系可选地包含一个或若干个杂原子,且可选地为可取代的,因此在包含若干个结构A的化合物中,每个A可以独立于存在于同一结构(tI-tV)中的另一个A而被选择;
如果存在的话,A1-A4中的每一个独立地选自如上所限定的A;
(tII)中的v描述了由单键连接至氮原子的环状体系A的数量且为1、2或3;
(R)w为选自含有1至30个碳原子的烃基的可选基团,可选地是可取代的,且可选地含有1个或若干个杂原子,如果v+w不超过3,则w为0、1或2,且如果w=2,则Rw1或Rw2相同或不同;
Ra表示基团,其可选地与其它Ra一起存在于同一结构(tI-tV)上,其能够降低有机化合物的熔点,且其为选自直链、支链或者环状烷基或含有一个或若干个氧原子的基团,其中所述烷基和/或所述含氧基团可选地为可卤化的;
x为与A连接的、独立选择的基团Ra的数量,且其选自0至每个A的取代基的最大可能数量,其独立于连接至可选地存在的另一个A的其它基团Ra的所述数量x;
存在以下限制条件:即每个结构(I-V)具有至少一个Ra,其为如上所限定的含氧基团;并且,如果在同一结构(tI-tV)上存在若干个Ra,其相同或不同;且其中两个或更多个Ra可形成含氧环;
Rp表示可选的基团,其能够与用作单体的、含有结构(tI-tV)的化合物产生聚合反应,和/或能够使含有结构(tI-tV)的不同化合物相互交联;
z为连接至A的基团Rp的数量,其为0、1和/或2,且其独立于连接至可选地存在的另一个A的其它基团Rp的所述数量z;
Rp可连接至N原子,A和/或根据(tI-tV)的其它结构的取代基Rp,这导致(tI-tV)的重复的、交联的和/或聚合的部分;
如果存在的话,(Ra/p)x/z和(Ra/p)x/z表示如上所限定的独立地选定的基团Ra和Rp;
7.如权利要求5或6所述的固态p-n异质结,其中所述有机空穴传输物为由下面的化学式tXVII的化合物:
化学式tXVII
其中R为C1-C6烷基或C1-C6O-烷基。
8.如权利要求1至7中任一项所述的固态p-n异质结,其中所述n型材料为多孔的,优选地具有1-400m2g-1的表面积,且优选地采用电连续层的形式,最优选地具有0.5至20μm的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择