[发明专利]钽溅射靶有效
| 申请号： | 201080025414.X | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102575336A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/02;C22F1/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
1.一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钨作为必要成分，并且除钨和气体成分以外的纯度为99.998％以上。
2.一种钽溅射靶，其特征在于，含有10质量ppm以上且100质量ppm以下的钨作为必要成分，并且除钨和气体成分以外的纯度为99.998％以上。
3.一种钽溅射靶，其特征在于，含有10质量ppm以上且50质量ppm以下的钨作为必要成分，并且除钨和气体成分以外的纯度为99.998％以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的钽溅射靶，其特征在于，靶中的钨含量的偏差为±20％以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的钽溅射靶，其特征在于，平均晶粒直径为120μm以下。
6.如权利要求5所述的钽溅射靶，其特征在于，晶粒直径的偏差为±20％以下。
7.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的钼和/或铌，钨、钼、铌的合计含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下，并且除钨、钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。
8.如权利要求7所述的钽溅射靶，其特征在于，还含有10质量ppm以上且100质量ppm以下的钼和/或铌。
9.如权利要求7所述的钽溅射靶，其特征在于，还含有10质量ppm以上且50质量ppm以下的钼和/或铌。
10.如权利要求7至9中任一项所述的钽溅射靶，其特征在于，靶中的钨、钼、铌含量的偏差为±20％以下。
11.如权利要求7至11中任一项所述的钽溅射靶，其特征在于，平均晶粒直径为120μm以下。
12.如权利要求11所述的钽溅射靶，其特征在于，晶粒直径的偏差为±20％以下。
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