[发明专利]具有改善的效率和啁啾控制的基于硅的光调制器

权利要求书

1.一种基于硅的光调制器，包括：

输入光波导分路器，其响应于输入的连续波光信号；

一对光波导支路，每一波导支路耦合至所述输入光波导分路器的分开的输出，并且每一光波导支路包括基于硅的调制装置，所述基于硅的调制装置由具有第一导电类型掺杂物的第一硅区和具有第二导电类型掺杂物的第二硅区组成，电调制数据信号沿每一光波导支路施加到所述基于硅的调制装置以产生调制的光信号；以及

输出光波导组合器，其耦合至所述一对光波导支路的输出上以组合一对分开调制的光信号并产生光调制的输出信号，其中所述调制装置的所述第一硅区被耦合以接收所述电调制数据信号及其互补形式，以及所述基于硅的调制装置的所述第二硅区保持在预定的偏压，所述偏压被选定用来提供所述基于硅的调制装置在累积区内的操作。

2.如权利要求1所述的基于硅的光调制器，其中所述第二硅区保持在相同的预定的偏压。

3.如权利要求2所述的基于硅的光调制器，其中所述预定的偏压可调整以调节所述光调制的输出信号中的啁啾的量。

4.如权利要求2所述的基于硅的光调制器，其中所述预定的偏压可调整以调节所述光调制的输出信号中的光调制幅度。

5.如权利要求2所述的基于硅的光调制器，其中所述预定的偏压可调整以调节所述光调制的输出信号中的消光比。

6.如权利要求2所述的基于硅的光调制器，其中所述调制器还包括旁路电容器，所述旁路电容器被设置在所述预定的偏压和所述电调制数据信号之间以提供其间的去耦。

7.如权利要求1所述的基于硅的光调制器，其中所述第二硅区保持在不同的预定的偏压。

8.如权利要求7所述的基于硅的光调制器，其中施加到所述第二硅区的所述不同的预定的偏压是独立地可调整的。

9.如权利要求1所述的基于硅的光调制器，其中每一基于硅的调制装置包括基于绝缘硅(SOI)的调制器，所述基于绝缘硅的调制器包括设置在覆盖硅衬底的绝缘层上的表面硅波导层(SOI)层、形成在所述SOI层的顶面上的薄的栅极电介质层，以及多晶硅层，该多晶硅层设置在所述薄的栅极电介质层的一部分上以和所述SOI层形成重叠区域，所述重叠区域限定了所述基于硅的调制装置的作用区以支持对传播的光信号的调制。

10.如权利要求9所述的基于硅的光调制器，其中每一调制装置的多晶硅层被定义为所述第一硅区，以及每一调制装置的SOI层被定义为所述第二硅区。

11.如权利要求9所述的基于硅的光调制器，其中每一调制装置的SOI层被定义为所述第一硅区，以及每一调制装置的多晶硅层被定义为所述第二硅区。

12.如权利要求9所述的基于硅的光调制器，其中所述薄的栅极电介质层包括选自由二氧化硅，氮化硅，氧化钾，三氧化二铋和氧化铪组成的组的材料。