[发明专利]流体处理系统和方法无效
申请号: | 201080026047.5 | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN102460640A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 史蒂文·M·卢尔科特;约翰·E·Q·休斯;彼得·弗尔施卡;托马斯·H·鲍姆;唐纳德·D·韦尔;邹鹏 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/20;H01L21/302;H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 处理 系统 方法 | ||
1.一种包括使用设置于外层包装容器内的可皱缩衬套的方法,在所述衬套与容器之间限定有间隙,所述方法包括对所述间隙施加低于大气压的压力,以使得所述衬套膨胀且将给料物质从给料物质源吸入所述衬套的内部空间中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述外层包装容器包括:与所述衬套的内部空间流体连通的给料物质端口,以及与所述间隙流体连通且被布置为用于所述间隙的减压和/或加压的至少一个端口。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将所述给料物质供应至适于在产品的制造中使用所述给料物质的处理工具。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将所述给料物质供应至化学机械平面化工具。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法,其中,所述衬套包括聚合物薄膜。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法,其中,所述衬套包括多层层压薄膜。
7.根据权利要求2所述的方法,进一步包括,对所述间隙加压以使得所述衬套收缩,从而通过所述给料物质孔从所述内部空间分配给料物质。
8.一种给料物质输送系统,包括:
多个第一给料物质流量控制器,所述多个第一给料物质流量控制器平行布置且与第一给料物质源流体连通;以及
至少一个流合并元件,所述至少一个流合并元件被操作地布置为,当同时操作第一流量控制器中多个流量控制器时选择性地组合来自所述多个第一给料物质流量控制器的第一给料物质的流。
9.根据权利要求8所述的系统,其中,所述多个第一流量控制器中至少两个流量控制器具有不同的校准流速范围。
10.根据权利要求9所述的给料物质输送系统,其中,所述多个流量控制器中至少两个流量控制器在最大校准流速上彼此相差至少约两倍。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,进一步包括与第二给料物质源流体连通的第二给料物质流量控制器,其中,所述至少一个流合并元件被操作地布置为将来自所述第二给料物质流量控制器的第二给料物质的流与第一给料物质的流组合。
12.根据权利要求11所述的给料物质输送系统,进一步包括与第三给料物质源流体连通的第三给料物质流量控制器,其中,所述至少一个流合并元件被操作地布置为,将来自所述第三给料物质流量控制器的第三给料物质的流与第一给料物质和第二给料物质中至少一个的流组合。
13.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,进一步包括平行布置且与第二给料物质源流体连通的多个第二给料物质流量控制器,其中,所述至少一个流合并元件被操作地布置为,将来自所述第二给料物质流量控制器的第二给料物质的流与第一给料物质的流组合。
14.根据权利要求13所述的给料物质输送系统,其中,所述多个第二流量控制器中至少两个流量控制器具有不同的校准流速范围。
15.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,其中,所述至少一个流合并元件包括静态或动态混合元件。
16.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,其中,所述至少一个流合并元件包括多个流合并元件。
17.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,其中,所述多个第一给料物质流量控制器中的一个第一给料物质流量控制器用来使能够通过所述多个第一给料物质流量控制器的第一给料物质的总流量的至少约80%通过。
18.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,其中,所述多个第一给料物质流量控制器中的每个第一给料物质流量控制器包括被布置为产生相应的输出信号的整体质量或流量感测元件,并且每个第一给料物质流量控制器适于响应于其相应的输出信号而控制第一给料物质的流。
19.根据权利要求8至10中的任一项所述的给料物质输送系统,其中,所述多个第一给料物质流量控制器中的每个第一给料物质流量控制器包括质量流量控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造