[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光二极管

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，

具有：

第一导电型半导体基板，其由氮化镓系化合物形成，并包括主面以及背面，且上述主面是非极性面；

第一导电型半导体层，其由氮化镓系化合物形成，并形成在上述第一导电型半导体基板的上述主面上；

半导体层叠结构，其是设置在上述第一导电型半导体层的第一区域上的半导体层叠结构，且包括由氮化镓系化合物构成的第二导电型半导体层、和位于上述第一导电型半导体层与上述第二导电型半导体层之间的活性层；

第一电极层，其设置在上述第一导电型半导体层的第二区域上；以及

第二电极层，其设置在上述第二导电型半导体层上，

上述第一导电型半导体基板以及上述第一导电型半导体层中的第一导电型杂质的浓度为1×10¹⁸cm^-3以下，

当从与上述主面垂直的方向观察时，上述第一电极层与上述第二电极层的间隔为4μm以下，并且，在从上述第一电极层的边缘中的与上述第二电极层相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置上述第二电极层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层具有在第一方向上延伸的多个延长部，

上述第二电极层具有位于由上述第一电极层所具有的上述多个延长部中的相邻的两个延长部所夹持的区域的部分。

3.根据权利要求2所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层具有将上述多个延长部相互电连接的至少一个相互连接部，上述相互连接部在与上述第一方向不同的第二方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第二电极层具有在第一方向上延伸的多个延长部，

上述第一电极层具有位于由上述第二电极层所具有的上述多个延长部中的相邻的两个延长部所夹持的区域的部分。

5.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层以及上述第二电极层分别具有在第一方向上延伸的多个延长部，

上述第一电极层的多个延长部与上述第二电极层的多个延长部沿着与上述第一方向不同的第二方向交替配置。

6.根据权利要求5所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层具有将上述多个延长部相互电连接的至少一个第一相互连接部，

上述第二电极层具有将上述多个延长部相互电连接的至少一个第二相互连接部，

上述第一相互连接部以及上述第二相互连接部在与上述第一方向不同的第二方向上延伸。

7.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第二电极层具有多个开口部，

上述第一电极层包括配置在上述第二电极层所具有的上述多个开口部的内部的电极。

8.根据权利要求7所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

当从与上述主面垂直的方向观察时，在上述第二电极层所具有的上述多个开口部的内部配置的上述电极的外周边缘为曲线。

9.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层具有多个开口部，

上述第二电极层包括配置在上述第一电极层所具有的上述多个开口部的内部的电极。

10.根据权利要求9所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述半导体层叠结构被分离成与上述第一电极层中的上述多个开口部对应的多个部分。

11.根据权利要求9或10所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一电极层具有对上述多个开口部进行规定的格子形状的导电部分。

12.根据权利要求9所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述多个开口部的个数为8以上。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，其中，

上述第一导电型半导体基板的上述主面小于一个边长为500μm的正方形。