[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在第一主表面侧形成的有源区域；

在第二主表面侧形成的低电阻层；

在所述有源区域和所述低电阻层之间形成的第一平行pn层，且所述pn层由具有第一导电率的第一区域和具有第二导电率的第一区域交替构成；

在围绕所述有源区域的外围区域中形成的第二平行pn层，所述第二平行pn层由具有第一导电率的第二区域和具有第二导电率的第二区域交替构成，其重复节距比具有第一导电率的第一区域和具有第二导电率的第一区域的重复节距窄；

在所述第二平行pn层和所述第一主表面之间形成的具有第一电导率的第三区域；

在具有所述第一电导率的第三区域的所述第一主表面侧上形成为彼此间隔开的多个具有所述第二电导率的第三区域；

电连接至具有所述第二电导率的所述第三区域中的最外面的具有所述第二电导率的所述第三区域的第一导电层；以及

电连接至所述外围区域的端接处的第二导电层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第一导电率的所述第三区域的杂质浓度低于具有所述第一导电率的所述第一区域的杂质浓度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第一导电率的所述第三区域的厚度是所述第一平行pn层的厚度的一半或小于一半。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一平行pn层和所述第二平行pn层之间的边界位于具有所述第一导电率的所述第三区域之下。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第二导电率的所述第三区域的杂质浓度高于具有所述第一导电率的所述第三区域的杂质浓度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第二导电率的所述第三区域中的一部分或者全部分别电连接至导电层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

电连接至具有所述第二导电率的所述第三区域的导电层形成为越过具有所述第二导电率的所述第三区域一直延伸到具有所述第一导电率的所述第三区域。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

更接近所述外围区域端接处的相邻的具有所述第二导电率的所述第三区域分隔开的间隔的宽度大于较远的相邻的具有所述第二导电率的所述第三区域分隔开的间隔。

9.如权利要求1到8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第一导电率的所述第一区域和具有所述第二导电率的所述第一区域分别具有条纹平面形状，或者具有所述第一导电率的所述第一区域或具有所述第二导电率的所述第一区域具有正方形或多边形平面形状，且具有所述第一导电率的所述第二区域和具有所述第二导电率的所述第二区域分别具有条纹平面形状，或者具有所述第一导电率的所述第二区域或具有所述第二导电率的所述第二区域分别具有正方形或多边形平面形状。

10.一种半导体装置，包括：

在第一主表面侧形成的有源区域；

在第二主表面侧形成的低电阻层；

在所述第一主表面和所述低电阻层之间形成的第一平行pn层，且所述pn层由具有第一导电率的第四区域和具有第二导电率的第四区域交替构成；

在所述第一主表面与围绕所述有源区域的外围区域内的所述平行pn层之间形成的具有所述第一导电率的第三区域；

在具有所述第一电导率的第三区域的所述第一主表面侧上的形成为彼此间隔开的多个具有所述第二电导率的第三区域；

电连接至具有所述第二电导率的所述第三区域中的最外面的具有所述第二电导率的所述第三区域的第一导电层；以及

电连接至所述外围区域的端接处的第二导电层。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述第一导电率的所述第三区域的杂质浓度低于具有所述第一导电率的所述第四区域的杂质浓度。