[发明专利]耐酸蚀刻的保护涂层

权利要求书

1.一种形成微电子结构的方法，所述方法包括：

提供具有表面的基片；

任选地，在所述基片表面上形成底漆层；

如果存在所述底漆层，在所述底漆层上形成保护层，或者如果不存在底漆层，在所述基片表面上形成保护层，从而产生保护叠层，所述保护层由包含溶解或分散在溶剂体系中的环烯烃共聚物的组合物形成；和

使所述保护叠层经历酸蚀刻过程。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在使所述叠层经历所述酸蚀刻过程之前，使所述保护步骤经历进一步的加工步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括使所述保护层暴光于宽频带紫外辐射。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层是光敏性的，所述暴光操作在所述保护层上形成暴光部分，所述暴光部分包含交联的环烯烃共聚物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸蚀刻过程包括用选自下组的蚀刻剂进行蚀刻：HF水溶液、HF蒸气、HF/H₂O蒸气、HF/醇蒸气、HCl、磷酸、HCl/HNO₃、缓冲的氧化物蚀刻剂(″BOE″)、HF/HNO₃/乙酸、浓H₂SO₄、浓HNO₃、以及上述蚀刻剂的混合物。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环烯烃共聚物由选自下组的环烯烃的聚合反应形成：

及上述的组合，

式中：

各R₁和R₂独立地选自下组：-H和烷基；

各R₃独立选自下组：-H、取代和未取代的芳基、烷基、环烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇、醛基、酮、腈及其组合。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环烯烃共聚物包含以下(I)和(II)的重复单体：

(I)：

及上述的组合，

式中：

各R₁和R₂独立地选自下组：-H和烷基；

各R₃独立选自下组：-H、取代和未取代的芳基、烷基、环烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇、醛基、酮、腈及其组合；

和

(II)：

式中：

-----是单键或双键；和

各R₄独立地选自下组：-H和烷基。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基片表面上形成底漆层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述底漆层由包含在溶剂体系中的碱性聚合物的组合物形成。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述碱性聚合物选自下组：聚乙烯基吡啶、聚三聚氰胺、聚乙烯亚胺、含三嗪的共聚物、苯乙烯-马来酰亚胺树脂、聚(4-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)和聚(2-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片选自下组：热氧化物基片，Si基片，SiO₂基片，Si₃N₄基片，硅基片上的SiO₂，硅基片上的Si₃N₄，玻璃基片，石英基片，陶瓷基片，半导体基片和金属基片。

12.一种制品，其包括：

具有表面的基片；

任选地，在所述基片表面上的底漆层；和

如果存在所述底漆层，在所述底漆层上的保护层，或者如果不存在底漆层，在所述基片表面上的保护层，所述保护层由包含溶解或分散在溶剂体系中的环烯烃共聚物的组合物形成，

其中，所述保护层具有第一侧和第二侧，如果存在所述底漆层，所述第一侧与所述底漆层相邻，或者如果不存在所述底漆层，则所述第一侧与所述基片表面相邻，无晶片与所述第二侧接触。