[发明专利]清除颗粒污染物的方法

权利要求书

1.一种用于从半导体晶片表面清除颗粒污染物的方法，该方法包含：

支撑所述半导体晶体；

向所述半导体晶片表面涂敷粘弹性物质，所述粘弹性物质呈现出液态样特性，并且与沉积在所述半导体晶体表面的颗粒污染物至少部分粘结；

通过把液体混入载体气体而将所述液体的速度加到高速，所述载体气体的容积流率要显著大于所述液体的容积流率；

把已加速的所述液体施加到所涂敷的所述粘弹性物质；

其中，在所述高速液体的作用下，所涂敷的所述粘弹性物质呈现出固态样特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高速大约在每秒1到1000米的范围。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘弹性物质包括聚合体化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述载体气体包括氮气或者其它惰性气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述液体包括去离子水。

6.一种用于从半导体晶片表面清除颗粒污染物的系统，该系统包含：

可旋转的支撑机构，其用于固定所述半导体晶片；

用于向所述半导体晶片表面涂敷粘弹性物质的涂敷器，所述粘弹性物质呈现出液态样特性，并且与沉积在所述半导体晶体表面的颗粒污染物至少部分粘结；

用于把液体高速施加到所涂敷的所述粘弹性物质的喷雾器，所述喷雾器利用载体气体把所述液体加速到高速，所述载体气体的容积流率要显著大于所述液体的容积流率；和

其中，在所述液体高速作用下，所涂敷的所述粘弹性物质呈现出固态样特性。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述高速大约在每秒1到1000米的范围。

8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述粘弹性物质包括聚合体化合物。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述载体气体是氮气或者其它惰性气体。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述液体是去离子水。

11.根据权利要求6所述的系统，其中，所述可旋转的支撑机构设置成当涂敷所述粘弹性物质时低速旋转，及当高速施加所述液体时高速旋转。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述低速大约在每分钟1到100转的范围，及所述高速大约在每分钟10到1000转的范围。

13.根据权利要求6所述的系统，其中，所述喷雾器设置成从接近所述半导体晶片中心的位置向接近所述半导体晶片边缘的位置移动。

14.一种用于从半导体晶片表面清除颗粒污染物的系统，该系统包含：

用于固定所述半导体晶片的载体，所述载体设置成以线性方式运动；

用于向所述半导体晶片表面涂敷粘弹性物质的涂敷器，所述粘弹性物质呈现出液态样特性，并且与沉积在所述半导体晶体表面的颗粒污染物至少部分粘结，所述涂敷器包括线性排列的涂敷器喷嘴，该线性排列的涂敷器喷嘴设置成跨越等于或者大于所述半导体晶片直径的宽度同时地涂敷粘弹性物质；

用于把液体高速施加到所涂敷的所述粘弹性物质的喷雾器，该喷雾器利用载体气体把所述液体加速到高速，所述载体气体的容积流率要显著大于所述液体的容积流率，所述喷雾器包括线性排列的喷雾器喷嘴，该线性排列的喷雾器喷嘴设置成跨越等于或者大于所述半导体晶片直径的宽度同时地施加所述液体；和

其中，在所述液体高速作用下，所涂敷的所述粘弹性物质呈现出固态样特性。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述高速大约在每秒0.1到10米的范围。

16.根据权利要求14所述的系统，其中，所述粘弹性物质包括聚合体化合物。

17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述载体气体是氮气。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述液体是去离子水。