[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，特别是涉及有机EL显示器等电流驱动型显示装置。

背景技术

近年来，作为薄型、轻量、可高速响应的显示装置，有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器受到关注。以往，主要开发了小型的有机EL显示器，但是近年来也开发了中型和大型的有机EL显示器。

小型的有机EL显示器的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板，使用低温多晶硅制造。在采用低温多晶硅的制造工艺(process)中，能够在TFT基板上形成P沟道型TFT和N沟道型TFT这两者。因此，使用2种TFT适当地设计包含有机EL元件的像素电路，能够削减TFT基板上的配线和电源线。此外，也能够在TFT基板上形成有机EL元件的驱动电路。

另一方面，中型和大型的有机EL显示器的TFT基板，为了降低成本，使用非晶硅、微晶硅或IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide：铟镓锌氧化物)等进行制造。然而，在使用这些材料的制造工艺中，在TFT基板上形成P沟道型TFT，截止到目前为止在实践层面还未成功。因此，在中型和大型的有机EL显示器中，需要仅使用N沟道型TFT来构成像素电路。

此外，由于无法在TFT基板上形成P沟道型TFT，因此也难以在TFT基板上形成有机EL元件的驱动电路。因此，将扫描线的端部保持原样地引出到TFT基板的外部的情况较多。在该情况下，扫描线的根数越多，制造成本越上升，可靠性越下降。因此，在中型和大型的有机EL显示器中，需要尽可能地减少扫描线的根数。

对于有机EL显示器，历来已知有各种像素电路。例如在专利文献1中，记载有如图9所示的包括N沟道型TFT80～84、电容器85、86和有机EL元件87的像素电路。在专利文献2中，记载有如图10所示的包括P沟道型TFT90～95、电容器96和有机EL元件97的像素电路。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2008-310075号公报

专利文献2：日本特开2007-133369号公报

发明内容

发明想要解决的课题

图9所示的像素电路使用N沟道型TFT构成，因此能够应用于中型和大型的有机EL显示器。但是，该像素电路包括2个电容器85、86，使用4种扫描线Gi、Ri、Ei、Mi驱动该像素电路。因此，在图9所示的像素电路中存在电路量和扫描线的根数多的问题。

图10所示的像素电路包括1个电容器96，使用3种扫描线G1i、G2i、Ei驱动该像素电路。在该像素电路中存在电路量和扫描线的根数少的优点。但是，该像素电路使用P沟道型TFT构成。因此，在图10所示的像素电路中存在不能应用于中型和大型的有机EL显示器的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种显示装置，其具有包括N沟道型晶体管，能够使用2种扫描线进行驱动的像素电路。

用于解决课题的方法

本发明的第一方面提供一种电流驱动型显示装置，其特征在于，包括：使用N沟道型晶体管构成，呈二维状地配置的多个像素电路；按上述像素电路的每行设置的多个第一扫描线和多个第二扫描线；按上述像素电路的每列设置的多个数据线；使用上述第一扫描线和第二扫描线，按每行选择上述像素电路的扫描线驱动电路；和对上述数据线提供与显示数据相应的数据电位的数据线驱动电路，上述像素电路包括：在被施加第一电源电位的第一导电性部件和被施加第二电源电位的第二导电性部件之间设置的电光学元件；在上述第一导电性部件和第二导电性部件之间，与上述电光学元件串联地设置的驱动用晶体管；电容器，上述电容器的第一电极与上述驱动用晶体管的栅极端子连接；设置在上述电容器的第二电极和上述数据线之间的第一开关晶体管；设置在上述驱动用晶体管的栅极端子和漏极端子之间的第二开关晶体管；第三开关晶体管，上述第三开关晶体管的一个导通端子与上述电光学元件的一个端子在相同的节点连接；设置在上述电容器的第二电极和上述第一导电性部件之间的第四开关晶体管；和第五开关晶体管，其设置在上述第一导电性部件和第二导电性部件之间，与上述电光学元件和上述驱动用晶体管串联连接，上述第五开关晶体管的源极端子与上述驱动用晶体管的漏极端子连接，上述第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管的栅极端子与上述第一扫描线连接，上述第四开关晶体管和第五开关晶体管的栅极端子与上述第二扫描线连接。