[发明专利]有机电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电子器件，是在基板上具有相对的2个以上电极、以及配置在电极之间的包括空穴注入层或/和空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，

其特征在于，至少包括空穴注入层，空穴注入层是含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇的层，所述金属氧化物簇为多金属氧酸盐。

2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为混合原子价多金属氧酸盐。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其特征在于，作为配置在2个电极之间的层，还包括空穴传输层。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将含有金属氧化物簇的流动性材料形成薄膜得到的含有金属氧化物簇的层。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将包含含有金属氧化物簇的水性介质的流动性材料形成薄膜得到的含有金属氧化物簇的层。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和空穴注入和/或传输性材料。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物或/和噻吩化合物或/和苯胺化合物。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将包含含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物的水或醇系介质的涂布用油墨形成薄膜得到的含有所述金属氧化物簇的层。

10.根据权利要求1～9的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为化学合成的阴离子分子，1分子的结构为10nm以下。

11.根据权利要求1～10的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇包含选自钼(Mo)、钨(W)、钒(V)或铁(F)中的至少1种金属元素。

12.根据权利要求1～11的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为至少包含Mo的氧化物簇，为{Mo₁₃₂}、{Mo₁₄₂}、{Mo₁₄₆}、{Mo₁₅₄}、{Mo₁₇₆}、{Mo₂₄₈}、{Mo₃₆₈}。

13.根据权利要求1～12的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有式I所示的芳香族胺化合物：N，N-双[4’-(羟基)[1，1’-联苯]-4-基]-N-苯胺作为空穴注入和/或传输性材料。

14.根据权利要求1～13的任一项所述的有机电子器件，有机电子器件是包括发光层作为有机功能层的有机EL元件。

15.一种有机电子器件的制造方法，是在基板上具有相对的2个以上电极、以及配置在电极之间并包括空穴注入层或/和空穴传输层的有机功能层的有机电子器件的制造方法，

其特征在于，至少包括空穴注入层，空穴注入层是包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的、含有作为多金属氧酸盐的金属氧化物簇的层，形成空穴注入层的工序包括将含有所述金属氧化物簇的流动性材料形成层状的工序。

16.根据权利要求15所述的有机电子器件的制造方法，其特征在于，金属氧化物簇为混合原子价多金属氧酸盐。

17.根据权利要求15或16所述的有机电子器件的制造方法，其特征在于，形成空穴注入层或/和空穴传输层的工序包括通过涂布法将含有所述金属氧化物簇的流动性材料形成层状的工序。