[发明专利]离子聚合物金属复合电容器有效

专利信息
申请号: 201080027153.5 申请日: 2010-04-22
公开(公告)号: CN102460618A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 宝泽那·卡米斯卡;克林顿·K.·兰德洛克 申请(专利权)人: IDIT技术集团
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/14;H01G4/18;H01G4/252;H01G4/33
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 张一军;于淼
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要:
搜索关键词: 离子 聚合物 金属 复合 电容器
【权利要求书】:

1.一种离子聚合物金属复合电容器,其包括:

一薄的单层非水合离子聚合物基体,所述基体包括第一和第二基本上平行的主表面;

第一和第二传导性薄膜电极,该电极分别涂覆在所述薄的单层非水合离子聚合物基体的所述第一和第二主表面的至少一部分上,其中每个传导性薄膜电极包括至少一导电材料。

2.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,还包括第一和第二电连接,所述电连接分别传导性连接到所述第一和第二传导性薄膜电极。

3.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述非水合离子聚合物基体选自下组:

基于氟聚合物的离子聚合物材料、基于聚乙烯的离子聚合物材料、基于聚酰胺的离子聚合物材料和基于全氟磺酸/聚四氟乙烯共聚物离子聚合物材料。

4.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述非水合离子聚合物基体包括厚度约20微米到400微米的薄片。

5.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述非水合离子聚合物基体包括厚度约100微米到200微米的全氟磺酸/聚四氟乙烯共聚物薄片。

6.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述至少一导电材料选自下组:金、银、铂、铜、碳、铝、传导性聚合物材料、氧化铟锡和它们的组合。

7.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,每一所述传导性薄膜电极包括至少一约50nm至500nm厚的导电膜。

8.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,每一所述传导性薄膜电极包括涂覆在所述非水和离子聚合物基体的所述表面的至少一部分上的厚度约5nm的第一铬膜和涂覆在所述第一膜上的厚度约100nm的第二金膜。

9.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,还包括第一介电层和第二介电层,所述第一介电层位于所述离子聚合物基体的所述第一表面和所述第一传导性薄膜电极之间,所述第二介电层位于所述离子聚合物基体的所述第二表面和所述第二传导性薄膜电极之间。

10.如权利要求9所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述第一和第二介电层包括厚度约5nm到50nm的空气间隔。

11.如权利要求1所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述第一和第二传导性薄膜电极的至少一部分还包括一个或多个纳米阵列,每一纳米阵列包括一纳米特征的图案,所述纳米特征成型在所述传导性薄膜电极上。

12.如权利要求11所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述纳米特征包括以下的一个或多个:

直径约5nm至500nm的纳米孔;

宽度约50nm至500nm的纳米槽;

其中所述纳米特征基本上延伸穿过至少一个所述传导性薄膜电极的厚度。

13.如权利要求2所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,还包括至少一保护涂层,所述涂层涂覆在所述第一和第二传导性薄膜电极中至少一个上。

14.如权利要求13所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述至少一保护涂层包括一防潮湿涂层,所述防潮湿涂层涂覆在所述第一和第二传导性薄膜电极和所述离子聚合物基体的任何暴露边缘上。

15.如权利要求13所述的离子聚合物金属复合电容器,其特征在于,所述至少一保护涂层包括防潮湿和耐热的硅/铝保护涂料。

16.一种制造离子聚合物金属复合电容器的方法,其包括:

提供一薄的单层非水合离子聚合物基体,该基体包括第一和第二基本上平的主表面;

分别涂覆第一和第二传导性薄膜电极到所述第一和第二主表面的至少一部分上,所述第一和第二传导性薄膜电极包括至少一导电材料;

将至少一电连接固定至第一和第二传导性薄膜电极中的每一个。

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