[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备包含多个薄膜晶体管和至少一个二极管的电路，

上述多个薄膜晶体管具有相同的导电型，

当上述多个薄膜晶体管的导电型是N型时，上述至少一个二极管的阴极侧的电极连接到与上述多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线，

当上述多个薄膜晶体管的导电型是P型时，上述至少一个二极管的阳极侧的电极连接到与上述多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线，

在上述配线上未形成以与上述至少一个二极管电流的流动方向相反的方式配置的其它二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，上述电路的电压波高值是20V以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，上述至少一个薄膜二极管和上述任一个薄膜晶体管的半导体层由相同的半导体膜形成。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，上述相同的半导体膜是微晶硅膜。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，上述电路包含移位寄存器。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，上述移位寄存器具有分别将输出信号依次输出的多个级，

上述多个级各自具有：第1晶体管，其输出上述输出信号；以及多个第2晶体管，其各自的源极区域或者漏极区域与上述第1晶体管的栅极电极电连接，

上述多个第2晶体管包含多沟道型晶体管，上述多沟道型晶体管具有活性层，上述活性层包含至少2个沟道区域、源极区域以及漏极区域。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，上述至少一个二极管具备：

栅极电极，其形成于基板上；

栅极绝缘层，其形成于上述栅极电极上；

至少一个半导体层，其形成于上述栅极绝缘层上，具有第1区域和第2区域；

第1电极，其设于上述第1区域上，与上述第1区域和上述栅极电极电连接；以及

第2电极，其设于上述第2区域上，与上述第2区域电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，上述至少一个半导体层具有：沟道区域，其隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极重叠；以及电阻区域，其隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极不重叠，

在上述二极管的导通状态下，在上述第1电极与上述第2电极之间形成有电流路径，上述电流路径包含上述沟道区域和上述电阻区域。