[发明专利]具有电流镜射的差分读出放大器以及参考存储器单元

权利要求书

1.一种感测电路，其包含：

第一路径，其包含第一电阻性存储器装置；

第二路径，其包含参考电阻性存储器装置；

其中所述第一路径耦合到包含第一负载晶体管的第一分离路径且耦合到包含第二负载晶体管的第二分离路径；且

其中所述第二路径耦合到包含第三负载晶体管的第三分离路径且耦合到包含第四负载晶体管的第四分离路径。

2.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一路径为数据路径且所述第二路径为参考路径。

3.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一分离路径包含第一箝位晶体管且所述第二分离路径包含第二箝位晶体管。

4.根据权利要求3所述的感测电路，其中所述第三分离路径包含第三箝位晶体管且所述第四分离路径包含第四箝位晶体管。

5.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一负载晶体管耦合到所述第四负载晶体管且其中所述第二负载晶体管耦合到所述第三负载晶体管。

6.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一负载晶体管、所述第二负载晶体管、所述第三负载晶体管和所述第四负载晶体管各自为PMOS型晶体管。

7.根据权利要求1所述的感测电路，其进一步包含读出放大器，所述读出放大器响应于所述第二负载晶体管和所述第四负载晶体管。

8.根据权利要求7所述的感测电路，其中所述读出放大器比较所述第二负载晶体管的输出与所述第四负载晶体管的输出。

9.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一路径包含第一列选择晶体管且所述第二路径包含第二列选择晶体管。

10.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一电阻性存储器装置为磁阻式随机存取存储器MRAM的元件。

11.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一电阻性存储器装置为自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器STT-MRAM的磁性隧道结MTJ元件。

12.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第一路径包含第一存取晶体管且所述第二路径包含第二存取晶体管。

13.根据权利要求1所述的感测电路，其中所述第二负载晶体管和所述第三负载晶体管的特性经调整以修改第一读取裕度和第二读取裕度中的至少一者。

14.根据权利要求13所述的感测电路，其中所述第二负载晶体管和所述第三负载晶体管的所述特性为晶体管宽度。

15.根据权利要求13所述的感测电路，其中所述第一读取裕度为逻辑0读取裕度且所述第二读取裕度为逻辑1读取裕度。

16.根据权利要求14所述的感测电路，其中所述第二负载晶体管的宽度大于所述第三负载晶体管的宽度。

17.根据权利要求1所述的感测电路，其集成于至少一个半导体裸片中。

18.根据权利要求1所述的感测电路，其进一步包含选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机组成的群组的装置，所述感测电路集成到所述装置中。

19.一种设备，其包含：

存储器，其包含：

第一存储器单元，其包含第一电阻性存储器装置；

第二存储器单元，其包含第二电阻性存储器装置；

第一位线，其耦合到所述第一存储器单元；

第二位线，其耦合到所述第二存储器单元；

其中所述第一位线耦合到包含负载晶体管的第一组分离路径；

其中所述第二位线耦合到第二组分离路径；且

其中在读取操作期间，所述第一位线在所述第一电阻性存储器装置具有第一逻辑状态时具有第一电流值且在所述第一电阻性存储器装置具有第二逻辑状态时具有第二电流值。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述负载晶体管中的至少一者的特性是可调整的，以修改第一电压值和第二电压值。

21.根据权利要求20所述的设备，其中所述特性为晶体管宽度。

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述第一逻辑状态为逻辑0状态且所述第二逻辑状态为逻辑1状态。