[发明专利]咔唑酚醛清漆树脂

权利要求书

1.一种聚合物，含有下式(1)所示的结构单元，

式(1)

式(1)中，R₁和R₂分别选自氢原子、卤素基团、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基和它们的组合，并且，该烷基、该链烯基或该芳基表示可以含有醚键、酮键或酯键的基团，

R₃选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基和它们的组合，并且，该烷基、该链烯基或该芳基表示可以含有醚键、酮键或酯键的基团，

R₄表示可以被卤素基团、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基或杂环基，

R₅表示氢原子、或可以被卤素基团、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或杂环基，并且，

R₄与R₅可以与它们所结合的碳原子一起形成环，

n1和n2分别表示1～3的整数。

2.根据权利要求1所述的聚合物，含有上式(1)所示的结构单元，其中，R₁、R₂、R₃和R₅分别表示氢原子，R₄表示苯基或萘基。

3.根据权利要求1所述的聚合物，含有上式(1)所示的结构单元，其中，R₁、R₂和R₃分别表示氢原子，并且R₄和R₅与它们所结合的碳原子一起形成芴环，此时该碳原子是所形成的该芴环的9位的碳原子。

4.一种聚合物，含有下式(2)和/或式(3)所示的结构单元，

式(2)

式(3)

式(2)和式(3)中，R₁、R₂、R₆、R₇和R₈分别选自氢原子、卤素基团、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基和它们的组合，并且，该烷基、该链烯基或该芳基表示可以含有醚键、酮键或酯键的基团，

R₃选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基和它们的组合，并且，该烷基、该链烯基或该芳基表示可以含有醚键、酮键或酯键的基团，

R₄表示可以被卤素基团、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基或杂环基，

R₅表示氢原子、或者可以被卤素基团、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或杂环基，并且，

R₄与R₅可以与它们所结合的碳原子一起形成环，

n1和n2分别表示1～3的整数，

n3～n5分别表示1～4的整数。

5.根据权利要求2所述的聚合物，含有上式(2)和/或式(3)所示的结构单元，其中，R₁、R₂、R₃、R₅、R₆、R₇和R₈分别表示氢原子，R₄表示苯基或萘基。

6.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有权利要求1～5的任一项所述的聚合物。

7.根据权利要求6所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，还含有交联剂。

8.根据权利要求6或7所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，还含有酸和/或产酸剂。

9.一种抗蚀剂下层膜，是通过将权利要求6～8的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，从而形成的。

10.一种半导体的制造中使用的抗蚀剂图案的形成方法，包括：将权利要求6～8的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，形成下层膜的工序。