[发明专利]具有形成在有纹理的表面上的接触部的半导体发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体结构，所述半导体结构包括：

布置在n型区域与p型区域之间的发光层；

n接触区域和p接触区域，其中所述n接触区域的横截面包括其中移除了部分所述发光层和所述p型区域以暴露所述n型区域的多个第一区域，其中所述多个第一区域由其中所述发光层和所述p型区域仍存在于所述器件中的多个第二区域分隔；以及

布置在所述n接触区域与所述p接触区域之间的沟槽；

在所述p接触区域中的半导体结构上形成的第一金属接触部；以及

在所述n接触区域中的半导体结构上形成的第二金属接触部；

其中，所述第二金属接触部与所述n接触区域中的第二区域中的至少一个电接触。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽将所述第一金属接触部与所述第二金属接触部电隔离。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第一区域包括在所述半导体结构中形成的孔，其中所述孔的宽度在1微米和5微米之间。

4.根据权利要求3所述的器件，其中最近相邻孔的中心相距4微米和8微米之间。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个第二区域包括半导体材料的柱。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述柱的宽度在1微米和5微米之间。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二金属接触部的横截面包括由谷分隔的多个小丘。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括布置在所述沟槽的侧壁上的绝缘层。

9.一种方法，包括：

对半导体结构进行蚀刻，所述半导体结构包括布置在n型区域与p型区域之间的发光层，以形成；

n接触区域，其中所述n接触区域的横截面包括其中移除了部分所述发光层和p型区域以暴露所述n型区域的多个第一区域，其中所述多个第一区域由其中所述发光层和p型区域仍存在于所述器件中的多个第二区域分隔；以及

布置在所述n接触区域与p接触区域之间的沟槽；

在所述p接触区域上形成第一金属接触部；以及

在所述n接触区域上形成第二金属接触部；

其中所述第二金属接触部与所述n接触区域的至少一个第二区域电接触。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述第一金属接触部上形成多个金属凸起。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：将所述半导体结构接合至底座，其中接合包括使所述多个金属凸起塌陷，从而使塌陷的凸起将半导体器件电连接且机械连接至所述底座，并且其中所述金属凸起在接合期间仍处于固相。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个金属凸起包括具有小于150 GPa的杨氏模量的金属。

13.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述多个金属凸起中的每一个具有1微米和5微米之间的宽度以及1微米和5微米之间的高度；以及

最近相邻凸起相距4微米和8微米之间。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括：

利用绝缘层来涂覆所述器件；以及

从所述n接触区域和所述p接触区域移除所述绝缘层，使得所述绝缘层仍存在于所述沟槽的侧壁上。