[发明专利]放大器级

权利要求书

1.一种放大器级，该放大器级用于根据该放大器级的输入端子处的输入信号在该放大器级的输出端子处生成放大输出信号，该放大器级包括：

第一有源器件，其具有第一端子、第二端子和对该第一有源器件的第一端子与第二端子之间的电流进行控制的控制输入端，第一有源器件的控制输入端耦接到该放大器级的输入端子；

第二有源器件，其具有第一端子、第二端子和对该第二有源器件的第一端子与第二端子之间的电流进行控制的控制输入端，第二有源器件的第一端子耦接到第一有源器件的第二端子，并且第二有源器件的第二端子耦接到该放大器级的输出端子；以及

控制电路，其耦接在第二有源器件的控制输入端与该放大器级的输入端子之间，该控制电路被设置为迫使第一有源器件的第二端子处的电压跟随第一有源器件的控制输入端处的输入电压。

2.根据权利要求1所述的放大器级，其中，所述控制电路还被设置为防止从所述放大器级的输出信号到输入信号的任意耦合。

3.根据权利要求1或2所述的放大器级，该放大器级还包括耦接在该放大器级的输出端子与电源电压之间的电阻器。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的放大器级，该放大器级还包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器将该放大器级的输入端子耦接到第一有源器件的控制输入端，第二电容器将该放大器级的输入端子耦接到第二有源器件的控制输入端。

5.根据权利要求4所述的放大器级，该放大器级还包括耦接在第一有源器件的控制输入端与偏置电压之间的偏置电阻器。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的放大器级，其中，第一有源器件包括选自于包括以下成员的组的器件：晶体管、双极晶体管、场效应晶体管和结型场效应晶体管。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的放大器级，其中，第二有源器件包括选自于包括以下成员的组的器件：晶体管、双极晶体管、场效应晶体管和结型场效应晶体管。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的放大器级，其中，所述控制电路包括由p沟道结型场效应晶体管和n沟道结型场效应晶体管组成的互补JFET源极跟随器，其中，所述p沟道晶体管的源极端子耦接到第二有源器件的控制输入端，所述n沟道晶体管的源极端子耦接到第二有源器件的控制输入端，所述p沟道晶体管的栅极端子耦接到该放大器级的输入端子，并且所述n沟道晶体管的栅极端子耦接到该放大器级的输入端子。

9.根据权利要求8所述的放大器级，其中，所述控制电路还包括第一二极管和第二二极管，第一二极管将所述n沟道晶体管的源极端子耦接到第二有源器件的控制输入端，并且第二二极管将所述p沟道晶体管的源极端子耦接到第二有源器件的控制输入端。

10.根据权利要求8或9所述的放大器级，其中，所述控制电路还包括偏置电阻器，该偏置电阻器将所述n沟道晶体管的栅极端子和所述p沟道晶体管的栅极端子耦接到偏置电压。

11.一种放大器级，该放大器级用于根据该放大器级的输入端子处的输入信号在该放大器级的输出端子处生成放大输出信号，该放大器级包括：

场效应晶体管类型的第一晶体管，其具有源极端子、漏极端子和栅极端子，第一晶体管的栅极端子经由第一电容器耦接到该放大器级的输入端子，并且第一晶体管的栅极端子经由第一偏置电阻器耦接到第一偏置电压；

双极类型的第二晶体管，其具有发射极端子、集电极端子和基极端子，第二晶体管的发射极端子耦接到第一晶体管的漏极端子，并且第二晶体管的集电极端子耦接到该放大器级的输出端子；

p型场效应晶体管类型的第三晶体管，其具有源极端子、漏极端子和栅极端子，第三晶体管的源极端子经由第一二极管耦接到第二晶体管的基极端子，第三晶体管的漏极端子耦接到第一电源电压，第三晶体管的栅极端子经由第二电容器耦接到该放大器级的输入端子，并且第三晶体管的栅极端子经由第二偏置电阻器耦接到第二偏置电压；以及

n型场效应晶体管类型的第四晶体管，其具有源极端子、漏极端子和栅极端子，第四晶体管的源极端子经由第二二极管耦接到第二晶体管的基极端子，第四晶体管的漏极端子耦接到第二电源电压，第四晶体管的栅极端子经由第二电容器耦接到该放大器级的输入端子，并且第四晶体管的栅极端子经由第二偏置电阻器耦接到第二偏置电压。