[发明专利]用于处理半导体晶片的方法

权利要求书

1.用于处理半导体晶片的方法，该方法包括：

提供包含氧化镧或镧系氧化物(例如Dy₂O₃，Pr₂O₃，Ce₂O₃)的层

运用水溶液，其中该水溶液是碳酸水，以在特定区域移除所述包含氧化镧或镧系氧化物的层，以便暴露表面，该表面上已沉积有所述包含氧化镧或镧系氧化物的层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳酸水通过混合具有小于100K欧姆米的电阻率(特定的电阻)的水生成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化镧或镧系氧化物沉积在包含有材料的层上，所述材料选自下面的组中：氧化铪、氧化锆、硅酸铪(HfSiOx)、铝酸铪(HfAlOx)、氮氧化硅铪(HfSiON)、氮氧化铝铪(HfAlON)、硅酸锆(ZrSiO)、ZrAlOx、氮氧化硅锆(ZrSiON)、氮氧化铝锆(ZrAlON)、氧化铝(Al₂O₃)、氮氧化铪(HfON)、以及氮氧化锆(ZrON)

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述水溶液中二氧化碳的分析浓度至少为0.1g/l。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶液的PH值不超过5.5。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述溶液的PH值不超过5。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶液的PH值至少为3。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述溶液的PH值至少为3.5。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在至少1.2巴的压强(约0.2巴表压)下，将二氧化碳添加到水中。