[发明专利]离子源清净终点侦测

权利要求书

1.一种离子源腔室清净的终点侦测的方法，包括：

在给定时段内将清净气体引入至所述离子源腔室中，所述离子源腔室具有由导电材料组成的内壁；

使所述气体在所述离子源腔室内离子化；

自所述离子源腔室提取所述经离子化的气体以形成离子束；

侦测所述离子束中的离子的质谱；

判定所述离子束中的所述离子的所述质谱何时指示所述离子源腔室的所述导电材料在所述给定时段内以相对恒定的比率存在于所述离子束中。

2.根据权利要求1所述的方法，更包括在所述质谱指示所述导电材料以所述相对恒定的比率存在于所述离子束中时，停止清净气体至所述离子源腔室的所述引入。

3.根据权利要求1所述的方法，其中侦测所述离子束中的所述离子的所述质谱包含产生表示所述清净气体的信号。

4.根据权利要求1所述的方法，其中侦测所述离子束中的所述离子的所述质谱包含产生表示所述导电材料的信号。

5.根据权利要求1所述的方法，其中侦测所述离子的所述质谱包含使用法拉第杯来侦测所述离子束中的所述离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中来自所述离子源腔室的所述经离子化的气体包含来自所述腔室的所述内壁的沉积物。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述导电材料为钨。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述导电材料为石墨。

9.一种离子植入系统，包括：

离子源腔室，其由导电材料的内壁界定，所述腔室回应于引入至所述腔室中的清净气体而产生离子，所述腔室具有孔，经由所述孔提取所述离子；

质量分析磁体，其安置于所述离子源腔室下游，所述质量分析磁体经组态以自所述离子束选择具有特定质荷比的离子；

法拉第杯，其安置于所述质量分析磁体下游，所述法拉第杯经组态以接收所述离子束；以及

测流计，其耦接至所述法拉第杯，所述测流计经组态以提供表示由所述法拉第杯接收的所述离子的信号，所述信号表示与所述离子源腔室的所述导电材料以及所述清净气体相关联的离子，其中在表示与所述导电材料相关联的离子的所述信号在给定时段内相对较恒定时，不将所述清净气体引入至所述腔室中。

10.根据权利要求9所述的离子植入系统，其中所述清净气体为三氟化氮。

11.根据权利要求9所述的离子植入系统，其中所述清净气体为二氯。