[发明专利]用于非易失性存储器中的增强沟道升压的减小的编程脉宽

权利要求书

1.一种用于对非易失性存储器进行操作的方法，包括：

在编程操作中将第一系列编程脉冲(1301)施加至一组字线(WL0-WL63)中的所选择的字线(WLn)，所述一组字线与一组存储元件(700，710)连通，并且所述所选择的字线与所述一组存储元件中的至少一个所选择的存储元件和至少一个未被选择的存储元件连通；

确定是否满足切换标准(1520)，所述切换标准依赖于温度；以及

如果满足所述切换标准，则从在所述编程操作中将所述第一系列编程脉冲施加至所选择的字线切换到在所述编程操作中将第二系列编程脉冲(1302)施加至所选择的字线，所述第二系列中的至少一个编程脉冲比在所述第一系列中的至少一个编程脉冲具有更短的持续时间(Δt2)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

当所述温度相对较高时，在所述编程操作中相对较早地施加所述第二系列编程脉冲，而当所述温度相对较低时，在所述编程操作中相对较晚地施加所述第二系列编程脉冲。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：

如果所述温度足够低(T2)，则不满足所述切换标准，在该情况下，不从施加所述第一系列编程脉冲切换到施加所述第二系列编程脉冲，施加所述第一系列编程脉冲直至完成所述编程操作，并且所述第一系列中的每个编程脉冲具有相同的持续时间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中：

所述第一系列中的每个编程脉冲具有第一持续时间(Δt1)，而所述第二系列中的每个编程脉冲具有第二持续时间(Δt2)，所述第二持续时间短于所述第一持续时间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中：

所述第二持续时间是所述第一持续时间的三分之一至二分之一。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中：

确定是否满足所述切换标准包括：确定是否所述一组存储元件中的一个子组的存储元件完成了到四个或更多个状态中的一个状态的编程，所述一个状态是基于所述温度的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

当所述温度相对较高时，所述一个状态是相对较低的状态，而当所述温度相对较低时，所述一个状态是相对较高的状态。

8.根据权利要求6所述的方法，其中：

从最低到最高存在四个数据状态E、A、B和C，当所述温度在T2与T3之间时，所述一个状态是状态B，而当所述温度在T1与T2之间时，所述一个状态是状态A，其中T1＜T2＜T3。

9.根据权利要求6所述的方法，其中：

从最低到最高存在八个数据状态E、A、B、C、D、E、F和G，当所述温度在T2与T3之间时，所述一个状态是状态D，而当所述温度在T1与T2之间时，所述一个状态是状态F，其中T1＜T2＜T3。

10.根据权利要求6所述的方法，其中：

确定是否满足所述切换标准包括：确定是否所述一组存储元件中的特定数量的存储元件完成了到四个或更多个状态中的一个特定状态的编程，所述特定数量是基于所述温度的。

11.一种非易失性存储系统，包括：

一组NAND串(700，710)，所述一组NAND串包括所选择的NAND串和未被选择的NAND串，每个NAND串包括多个存储元件，所述一组NAND串与一组字线(WL0-WL63)连通，所述一组字线在所述一组字线的源极侧和所述一组字线的漏极侧之间延伸；以及

一个或多个控制电路(510，550)，所述一个或多个控制电路与所述一组字线连通，所述一个或多个控制电路执行编程操作，在所述编程操作中，所述一组存储元件中的不同子组的存储元件被编程为四个或更多个状态的不同相应状态，并且在所述编程操作期间，所述一个或多个控制电路：

(a)将第一系列编程脉冲(1301)施加至所述一组字线的所选择的字线，

(b)确定是否满足切换标准，所述切换标准依赖于温度，以及(b)如果满足所述切换标准，则从将所述第一系列编程脉冲施加至所选择的字线切换为将第二系列编程脉冲(1302)施加至所选择的字线，所述第二系列中的至少一个编程脉冲比所述第一系列中的至少一个编程脉冲具有更短的持续时间。