[发明专利]成膜装置无效
| 申请号： | 201080027811.0 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102471875A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种成膜装置，采用溅射法在被处理体的表面形成覆膜，其特征在于，包括：
腔室，收纳以相互对置的方式配置的所述被处理体与作为所述覆膜之母材的靶；
排气单元，对所述腔室内进行减压；
磁场产生单元，在所述靶的溅射面的前方产生磁场；
直流电源，向所述靶施加负的直流电压；
气体导入单元，向所述腔室内导入溅射气体；以及
防止溅射粒子向所述被处理体入射，直到在所述靶与所述被处理体之间产生的等离子体成为稳定状态为止的单元。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述单元是被配置在所述被处理体与所述靶之间的挡板。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述单元是使所述被处理体在所述靶的下方沿水平方向移动的输送装置。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述单元是能够在所述被处理体与所述靶之间形成电场的格子状的电极。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述单元是在所述被处理体与所述靶之间形成使所述溅射粒子的轨道从所述被处理体偏离的磁场的磁场产生单元。
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