[发明专利]薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料

权利要求书

1.一种薄膜制造方法，其包括：

以在基板上形成薄膜的方式，使从蒸发源飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置堆积在所述基板上的工序；

使含有所述薄膜的原料的棒状材料在所述蒸发源的上方熔解，并且将熔解后的所述材料以液滴的形式向所述蒸发源供给的供给工序，

作为所述棒状材料，使用如下的棒状硅材料：

(a)从所述材料的与长轴方向垂直的截面的中心朝向外周部，在长度90％的位置上存在分别被晶界包围的多个第一区域，所述多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且(b)在从所述中心朝向所述外周部的长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，所述多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm以上。

2.如权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，

从所述硅材料的所述截面的所述中心朝向所述外周部，在长度10％的位置上存在多个分别被晶界包围的第三区域，所述多个第三区域的长径的面积加权平均值为200μm以下。

3.如权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，

所述硅材料是通过铸造法制作的。

4.如权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，

照射电子束或激光，使所述硅材料熔解。

5.如权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，

所述基板是长条基板，

所述堆积工序包括将从开卷辊抽出的所述长条基板经由所述规定的成膜位置搬运至卷绕辊，

在实施所述堆积工序的同时，实施所述供给工序。

6.一种锂离子二次电池用负极的制造方法，其中，

通过如权利要求1所述的薄膜制造方法，在作为负极集电体的所述基板上堆积作为能够包藏及放出锂的负极活性物质的硅。

7.一种棒状硅材料，其包括存在于从与长轴方向垂直的截面的中心朝向外周部长度90％的位置上的、分别被晶界包围的多个第一区域、从所述中心朝向所述外周部存在于长度50％的位置上的、分别被晶界包围的多个第二区域，

所述第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且所述第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm以上。

8.如权利要求7所述的硅材料，其中，

从所述硅材料的所述截面的所述中心朝向所述外周部存在于长度10％的位置上的、分别被晶界包围的多个第三区域的长径的面积加权平均值为200μm以下。

9.如权利要求7所述的硅材料，其中，

所述硅材料是通过铸造法制作的。