[发明专利]高频功率放大器无效
| 申请号： | 201080027856.8 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102474228A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 夘野高史;八幡和宏;石崎俊雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H03F1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 功率放大器 | ||
1.一种高频功率放大器，其特征在于，具有：
对第一频率的高频信号进行放大的放大元件；
与所述放大元件的输入端侧连接的输入匹配电路；
与所述放大元件的输出端侧连接的输出匹配电路；
一端侧与所述放大元件的输出端连接且另一端侧与所述输出匹配电路的输入端及直流电源端子连接的电抗控制电路，
所述电抗控制电路具有在与所述放大元件的输出端中的所述放大元件的寄生电容之间以第二频率发生谐振的电抗，
所述第二频率是与所述第一频率相同的频率或所述第一频率附近的频率。
2.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第二频率是与没有所述电抗控制电路的情况相比使功率附加效率变高的频率。
3.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第一频率为2.4～2.5GHz，
所述第二频率是所述第一频率的0.82倍至2.4倍的频率。
4.如权利要求3所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第二频率是所述第一频率的0.87倍至1.9倍的频率。
5.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第一频率为1～5GHz，
所述第二频率是所述第一频率的0.92倍至1.8倍的频率。
6.如权利要求5所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第二频率是所述第一频率的0.93倍至1.4倍的频率。
7.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述第二频率比所述第一频率大。
8.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述电抗控制电路由电感器构成。
9.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述电抗控制电路由传送线路构成。
10.如权利要求9所述的高频功率放大器，其特征在于，所述传送线路是微带线或共面线。
11.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述电抗控制电路由电容器和电感器的串联谐振器构成。
12.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述电抗控制电路由开路短截线构成。
13.如权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，所述放大元件是场效应晶体管，栅极及源极的至少一方是场板构造。
14.如权利要求13所述的高频功率放大器，其特征在于，所述放大元件是使用了化合物半导体的场效应晶体管。
15.如权利要求13所述的高频功率放大器，其特征在于，所述放大元件是具有GaN和AlGaN的异质结的场效应晶体管。
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