[发明专利]透明的整流的金属-金属氧化物-半导体接触结构及其制造方法和用途

权利要求书

1.透明的整流接触结构，所述透明的整流接触结构具有下列组成部分：

a)透明半导体，选自宽能带隙半导体的组，所述组包括ZnO、金刚石、ZnMgO、CuAlO₂、ZnS、ZnSe、ZnCdO、Ga₂O₃、In₂O₃和有机半导体；

b)透明的、非绝缘而且非导通的层，所述层由金属氧化物、金属硫化物和/或金属氮化物制成，其中，所述层的电阻率优选处在10²Ωcm至10⁷Ωcm的范围内；以及

c)由透明的电导体所制成的层，

其中，所述层b)构造在所述半导体a)与所述层c)之间。

2.根据权利要求1所述的透明的整流接触结构，其特征在于，所述层b)具有如下金属的氧化物、硫化物或者氮化物，所述金属选自包括Ag、Pt、Ir、Cu、Pd、Cr、Ni及其他金属的组。

3.透明的整流接触结构在传感技术应用中的用途，其中，所述接触结构具有下列组成部分：

a)透明半导体；

b)透明的、非绝缘而且非导通的层，所述层由如下金属的氧化物、硫化物或者氮化物制成，所述金属选自包括Ag、Pt、Ir、Cu、Pd、Cr及其他金属的组，其中，所述层的电阻率优选处在10²Ωcm至10⁷Ωcm的范围内；

c)由透明电导体所制成的层，

其中，所述层b)构造在所述半导体a)与所述层c)之间。

4.根据权利要求1或2所述的透明的整流接触结构，或者根据权利要求3所述的用途，其特征在于，将所述半导体a)构造为块体材料、薄层或者纳米结构。

5.根据权利要求2或4所述的透明的整流接触结，或者根据权利要求3或者4所述的用途，其特征在于，衬底是透明的和/或柔性的。

6.根据权利要求1、2、4或5之一所述的透明的整流接触结构，或者根据权利要求3至5之一所述的用途，其特征在于，所述半导体a)是经掺杂的和/或是混合的和/或是合金化的，和/或具有异质结构。

7.根据权利要求1、2或4至6之一所述的透明的整流接触结构，或者根据权利要求3至6之一所述的用途，其特征在于，所述层b)由多个层构成。

8.根据权利要求1、2或4至7之一所述的透明的整流接触结构，或者根据权利要求3至7之一所述的用途，其特征在于，所述层b)包含比通过化学计量比例所预先给定的情况更多的金属原子。

9.根据权利要求1、2或4至8之一所述的透明的整流接触结构，或者根据权利要求3至8之一所述的用途，其特征在于，所述层c)具有下列材料中的至少一种：

i)透明的、能导通的氧化物，其优选选自如下的组，所述组包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、氟锡氧化物(Fluor Tin Oxide，FTO)、铝锌氧化物(Aluminium Zinc Oxide，AZO)和锑锡氧化物(Antimony Tin Oxide，ATO)；和/或

ii)选自如下组的金属，所述组包括Au、Ag、Pt、Cu、In；和/或

iii)能导通的有机材料。

10.根据权利要求9所述的透明的整流接触结构或者用途，其特征在于，所述层c)是经掺杂的和/或是混合的和/或是合金化的，和/或由多个层构成。

11.根据权利要求9或10之一所述的透明的整流接触结构或者用途，其特征在于，所述层c)具有金属氧化物，并且所述金属氧化物包含比通过化学计量比例所预先给定的情况更多的金属原子。